MOSFET封裝不良與最終測試的技術(shù)研究.pdf

1、MOSFET是分立器件中最為重要的一類產(chǎn)品,在許多領(lǐng)域起著難以替代的作用。本文將通過研究MOSFET封裝不良在最終測試中表現(xiàn)出的特點(diǎn),來對產(chǎn)品的最終測試流程進(jìn)行改進(jìn),從而提高產(chǎn)品的質(zhì)量,滿足客戶對品質(zhì)越來越高的要求。MOSFET的封裝主要由晶圓切割,晶粒黏貼,焊線,封塑,切割成型這五大流程組成。每個流程中都有一些主要的不良類型,會影響到最終測試的通過率和成品的質(zhì)量。本文的重點(diǎn)就是針對不同的不良類型,研究它們在最終測試中表現(xiàn)出特點(diǎn)。基于研

2、究所得結(jié)果,對現(xiàn)行的最終測試流程進(jìn)行三方面的綜合改進(jìn)。第一,定義設(shè)定測試項(xiàng)目上下限的方法,提高測試程序的篩選能力。第二,根據(jù)測試結(jié)果對應(yīng)的封裝不良類型進(jìn)行分Bin,使得從分Bin結(jié)果就可以比較準(zhǔn)確的判斷出問題。第三,改進(jìn)產(chǎn)品的收率管理,補(bǔ)充測試程序篩選能力的不足,保證成品質(zhì)量。通過本文的研究和改進(jìn),可以有效提高M(jìn)OSFET成品質(zhì)量并改善良品率。在SSU2N60B產(chǎn)品上運(yùn)用本文的方法后,良品率比前六個月提高了約1%,質(zhì)量抽檢不良和客戶投訴