MOSFET封裝不良與最終測試的技術研究.pdf

1、MOSFET是分立器件中最為重要的一類產(chǎn)品,在許多領域起著難以替代的作用。本文將通過研究MOSFET封裝不良在最終測試中表現(xiàn)出的特點,來對產(chǎn)品的最終測試流程進行改進,從而提高產(chǎn)品的質量,滿足客戶對品質越來越高的要求。MOSFET的封裝主要由晶圓切割,晶粒黏貼,焊線,封塑,切割成型這五大流程組成。每個流程中都有一些主要的不良類型,會影響到最終測試的通過率和成品的質量。本文的重點就是針對不同的不良類型,研究它們在最終測試中表現(xiàn)出特點。基于研

2、究所得結果,對現(xiàn)行的最終測試流程進行三方面的綜合改進。第一,定義設定測試項目上下限的方法,提高測試程序的篩選能力。第二,根據(jù)測試結果對應的封裝不良類型進行分Bin,使得從分Bin結果就可以比較準確的判斷出問題。第三,改進產(chǎn)品的收率管理,補充測試程序篩選能力的不足,保證成品質量。通過本文的研究和改進,可以有效提高MOSFET成品質量并改善良品率。在SSU2N60B產(chǎn)品上運用本文的方法后,良品率比前六個月提高了約1%,質量抽檢不良和客戶投訴