

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內容提供方,若內容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、有機半導體材料導電性能介于金屬和絕緣體之間。與傳統(tǒng)半導體材料相比,有機半導體材料具有許多優(yōu)點,例如:柔性好,制各工藝簡單,成本低,可大規(guī)模生產利用。因為有機半導體具有如此多的優(yōu)點,所以近年來有機半導體材料成為研究熱點。
有機半導體是分子晶體,最小的組成單元是一個有機分子,為了得到性能更好的有機半導體材料,我們可以在特定的位置增加或減少基團來修飾有機分子。衡量有機半導體材料性能的重要參數是載流子遷移率。
本論文以密度泛
2、函理論和Marcus-Hush理論為基礎,利用Gaussian和ADF軟件包,對有機半導體材料Benzothieno-Benzothiophene(BTBT)載流子遷移率與電荷輸運微觀物理參量——分子間電子耦合(電荷轉移積分)與分子內振動耦合(電荷轉移重組能),以及有機半導體材料內部分子堆棧結構參數(r,θ,γ)之間的關系進行理論研究。并推導其載流子遷移率各向異性方程,此方程可以用來有效預測有機半導體材料載流子遷移率極值及其方向,同時可
3、實現基于BTBT設計高性能有機半導體材料。文中,我們以C8-BTBT,C10-BTBT和C12-BTBT為例討論了BTBT衍生物的載流子遷移率。計算結果表明這三種晶體的空穴遷移率(μ hole)遠遠大于它們的電子遷移率(μeletron),這說明它們是p-型有機半導體材料。當碳鏈長度由8變到12時,載流子遷移率也是增大的。載流子遷移率的增大可以歸因于橫向二聚體T和平行二聚體P之間角度θ T1的增大。換句話說就是隨著碳鏈的增長晶體結構堆積
4、的更加緊密。這種簡單的計算模型可以為以后設計性能更好的材料提供方法,例如通過修飾側邊碳鏈的長度來增加載流子遷移率。
本文還利用密度泛函理論并結合過渡態(tài)理論研究了一種新型二氧化碳吸附和轉化催化劑的催化機理。眾所周知,CO2是地球上儲量最豐富,最便宜的C1資源,它具有無毒,不燃燒,可再生等特點,但是,CO2也是主要的溫室氣體之一?;谶@些特點,CO2化學已經吸引了全世界越來越多的關注,通過化學技術實現碳的捕獲和高效轉化是現如今研究
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網頁內容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經權益所有人同意不得將文件中的內容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內容的表現方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 有機半導體遷移率公式的改進及應用的研究.pdf
- 幾種有機半導體分子載流子遷移特性的研究.pdf
- 具有高載流子遷移率的二維半導體材料的設計與模擬.pdf
- 應變Si載流子遷移率研究.pdf
- 高遷移率半導體材料的自旋注入.pdf
- 雜稠芳環(huán)n型有機半導體遷移率的理論研究.pdf
- 噻吩及氮雜芳環(huán)半導體材料的結構及載流子遷移率的理論研究.pdf
- 應用密度泛函理論研究半導體材料電子性質.pdf
- 半導體異質結中的電子遷移率及其壓力效應.pdf
- 有機半導體中載流子的遷移過程及其磁場效應.pdf
- 高壓下纖鋅礦半導體的雜化密度泛函理論研究.pdf
- 基于VI的載流子遷移率測試系統(tǒng)的研制.pdf
- 有機半導體載流子注入與傳輸性能的研究.pdf
- 應變Ge載流子遷移率散射機制及模型研究.pdf
- 應變硅載流子遷移率增強機理及模型研究.pdf
- 摻雜型載流子傳輸材料的密度泛函理論研究.pdf
- 二維半導體材料遷移率的第一性原理研究.pdf
- 納米改性變壓器油中載流子遷移率的研究.pdf
- 單軸應變硅能帶結構及載流子遷移率研究.pdf
- 應變硅MOSFET載流子遷移率增強機理研究與建模.pdf
評論
0/150
提交評論