基于白剛玉微粉的SiC單晶片(0001)C面化學(xué)機(jī)械拋光研究.pdf

1、碳化硅單晶片是最具有發(fā)展前景的半導(dǎo)體材料，廣泛應(yīng)用于微電子，光學(xué)，半導(dǎo)體照明，集成電路等。目前發(fā)光二極管的發(fā)展速度非常迅速，相應(yīng)的作為襯底材料對碳化硅單晶片表面要求精度更高、質(zhì)量更好?；瘜W(xué)機(jī)械拋光是目前能實(shí)現(xiàn)全局平面化較為實(shí)用的一種方法。研究碳化硅化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)中各因素對研磨去除率和研磨表面質(zhì)量的影響具有重要的理論指導(dǎo)意義和實(shí)際應(yīng)用價(jià)值。本文綜合運(yùn)用正交試驗(yàn)法、單因素試驗(yàn)研究和極差分析的方法，對SiC單晶片進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光試驗(yàn)，介紹和

2、分析拋光液的去除原理，選擇并優(yōu)化拋光液成分含量，以提高研磨膏的材料去除率，改善加工后的表面質(zhì)量。
　　 本文采用化學(xué)機(jī)械拋光工藝方案，以ZYP300型研磨拋光機(jī)為試驗(yàn)平臺，對SiC單晶片拋光參數(shù)進(jìn)行研究。試驗(yàn)中選用自行研制的含白剛玉W0.5、W1、W1.5、W2.5、W3.5磨粒的拋光液進(jìn)行研磨工藝試驗(yàn)，研究了拋光壓力、拋光盤盤轉(zhuǎn)速、載物臺轉(zhuǎn)速、磨粒粒度、氧化劑含量、分散劑含量、磨料含量等因素對化學(xué)機(jī)械拋光加工的影響規(guī)律。并進(jìn)行