InP納米材料的制備與非線性光學特性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、InP以其眾多的優(yōu)越特性而在許多高技術領域有著廣泛的應用。摻硫的N型InP材料主要應用于激光器、發(fā)光二極管、光放大器、光纖通信等光電領域。半絕緣(SI)InP主要用于微電子器件和光電集成等領域。 以Na，P和InCl3·4H2O為原料，以二甲苯為溶劑，用改進的常壓有機溶劑回流退火法合成了納米磷化銦晶粒。 實驗上，用X射線衍射，透射電子顯微鏡，激光拉曼光譜和吸收光譜對合成產(chǎn)物進行了表征和分析。研究結果表明合成的晶粒具有立方

2、閃鋅礦結構，平均粒徑為55nm，最小粒徑為3nm，晶格常數(shù)為5.869×10-10m，具有明顯的量子尺寸效應，而且晶粒的完整性好，產(chǎn)率高。采用Z-掃描法測量了上述樣品的三階非線性光學性質(zhì)，根據(jù)其Z-掃描標準透過率曲線求得了相應的三階非線性折射率或克爾常數(shù)及三階非線性吸收系數(shù)。 理論上，基于光學系統(tǒng)對傍軸激光束的傳輸與變換技術—BCD定理，直接以非線性相移為研究對象，采用表征高斯光束特征的q參數(shù)，在光束無象散近似假設下模擬了Z-掃

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