InP納米材料的制備與非線性光學(xué)特性研究.pdf

1、InP以其眾多的優(yōu)越特性而在許多高技術(shù)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用。摻硫的N型InP材料主要應(yīng)用于激光器、發(fā)光二極管、光放大器、光纖通信等光電領(lǐng)域。半絕緣(SI)InP主要用于微電子器件和光電集成等領(lǐng)域。 以Na，P和InCl3·4H2O為原料，以二甲苯為溶劑，用改進(jìn)的常壓有機(jī)溶劑回流退火法合成了納米磷化銦晶粒。 實(shí)驗(yàn)上，用X射線衍射，透射電子顯微鏡，激光拉曼光譜和吸收光譜對(duì)合成產(chǎn)物進(jìn)行了表征和分析。研究結(jié)果表明合成的晶粒具有立方

2、閃鋅礦結(jié)構(gòu)，平均粒徑為55nm，最小粒徑為3nm，晶格常數(shù)為5.869×10-10m，具有明顯的量子尺寸效應(yīng)，而且晶粒的完整性好，產(chǎn)率高。采用Z-掃描法測(cè)量了上述樣品的三階非線性光學(xué)性質(zhì)，根據(jù)其Z-掃描標(biāo)準(zhǔn)透過(guò)率曲線求得了相應(yīng)的三階非線性折射率或克爾常數(shù)及三階非線性吸收系數(shù)。 理論上，基于光學(xué)系統(tǒng)對(duì)傍軸激光束的傳輸與變換技術(shù)—BCD定理，直接以非線性相移為研究對(duì)象，采用表征高斯光束特征的q參數(shù)，在光束無(wú)象散近似假設(shè)下模擬了Z-掃