PLD方法制備ZnO薄膜及其結(jié)構(gòu)和光學(xué)性能分析.pdf

1、氧化鋅(ZnO)是一種直接帶隙寬禁帶(3.37eV)Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體材料，具有較大的激子束縛能(60meV。ZnO薄膜的制作方法很多，傳統(tǒng)方法有：磁控濺射、化學(xué)氣相沉積(CVD)、溶膠凝膠法(sog-gel)、噴霧熱解法、熱氧化法)、分子束外延(MBE)等，新的生長(zhǎng)技術(shù)如脈沖激光沉積(PLD)、金屬有機(jī)物化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、原子層外延生長(zhǎng)法(ALE)、激光分子束外延(L-MBE)等也開(kāi)始廣泛應(yīng)用。由于ZnO在結(jié)構(gòu)、能帶、電學(xué)

2、和光學(xué)方面的諸多優(yōu)點(diǎn)，加上ZnO薄膜的制作方法多種多樣，可以適應(yīng)不同的應(yīng)用需求，ZnO在器件應(yīng)用方面具有廣闊的應(yīng)用范圍，潛力很大，前景極好。它可以被用來(lái)制作透明電極、壓敏電阻、太陽(yáng)能電池窗口、表面聲波器件、氣體傳感器、發(fā)光二極管等。在短波區(qū)域，ZnO可用于制造紫外發(fā)光器件和紫外激光器，對(duì)于提高光記錄密度及光信息的存取速度起著非常重要的作用。激光脈沖沉積是近年來(lái)發(fā)展起來(lái)的先進(jìn)的薄膜生長(zhǎng)技術(shù)，它是在高真空背景下用高能激光燒蝕ZnO靶材生成蒸