TATB基PBX的納米孔隙及其老化演變的正電子湮沒(méi)壽命譜研究.pdf

1、本論文使用正電子湮沒(méi)壽命譜技術(shù)，研究了TATB基PBX中的納米孔隙及其在加速老化過(guò)程中的演化情況。
　　首先對(duì)正電子湮沒(méi)壽命譜儀進(jìn)行了調(diào)整測(cè)試，并用計(jì)算機(jī)模擬方法對(duì)正電子湮沒(méi)壽命譜的解譜程序進(jìn)行了分析對(duì)比，確定了壽命譜儀的合適工作狀態(tài)以及解譜程序的影響因素和分辨能力。
　　通過(guò)使用不同的壓制強(qiáng)度，制備了多組配方相同密度不同的TATB基PBX，測(cè)量并對(duì)比了其壽命譜的異同。分析表明，正電子在PBX中主要是自由態(tài)湮沒(méi)和捕獲態(tài)湮沒(méi)，

2、正電子素形成量很小。解譜結(jié)果顯示:隨著壓制強(qiáng)度的增加，PBX中的納米孔隙濃度減少但尺寸增加。表明在壓制過(guò)程中，隨著晶粒的受壓損傷和破碎，TATB晶體內(nèi)納米孔隙不斷增長(zhǎng)，界面孔隙減小甚至發(fā)生閉合。
　　最后制備了多組PBX及其兩種組分（TATB、氟橡膠粘結(jié)劑）樣品，對(duì)其進(jìn)行加速老化并周期性測(cè)量其正電子湮沒(méi)壽命譜，得出其壽命分布隨老化進(jìn)程的變化，進(jìn)而分析了其納米孔隙在老化過(guò)程中的演化情況。結(jié)果發(fā)現(xiàn)，PBX和TATB在老化過(guò)程中存在相似