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1、正電子壽命分析技術(shù)是研究材料微觀結(jié)構(gòu)的有效手段,本文對(duì)國(guó)內(nèi)外正電子湮沒技術(shù)的發(fā)展作了簡(jiǎn)要的回顧,著重對(duì)正電子湮沒壽命測(cè)量技術(shù)進(jìn)行了研究。在此基礎(chǔ)上,把兩臺(tái)不能正常工作、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)不同的正電子湮沒壽命譜儀組裝成一臺(tái)并進(jìn)行了調(diào)試。 本文工作中升級(jí)了壽命譜儀的數(shù)據(jù)采集系統(tǒng),重新設(shè)定和檢驗(yàn)了壽命譜儀的各組件,對(duì)組裝后的譜儀進(jìn)行了能量標(biāo)定,結(jié)果為:起始道:E<'U><,mV>=0.701KeV/mV,E<'L><,mV>=1.079Ke
2、V/mV,終止道:E<'U><,mV>=0.723KeV/mV,E<'L><,mV>=1.095KeV/mV,采用動(dòng)態(tài)法、百分比法和平均法分別進(jìn)行能窗選擇,比較了時(shí)間刻度的兩種線路連接方式,在較好的連接方式下用延時(shí)箱法和光子飛行時(shí)間法分別進(jìn)行時(shí)間刻度,在多道暫存器918MCB設(shè)置成2×4K道的情況下,得到最好的時(shí)間刻度結(jié)果為26.3ps/ch;測(cè)量不同能窗下譜儀的時(shí)間分辨率,其中動(dòng)態(tài)法得到的<'22>Na能窗(起始:491mV~1515
3、mV,終止:210mV~470mV)下,<'60>Co瞬發(fā)峰有252ps的分辨率,而且有200個(gè)計(jì)數(shù)/秒的<'22>Na計(jì)數(shù)率,而同一能窗下這一譜儀在十年之前的分辨率為287~300ps;實(shí)驗(yàn)證明,調(diào)整后的譜儀長(zhǎng)時(shí)間測(cè)量,穩(wěn)定性較好,平均每改變1℃引起的峰位移動(dòng)量為4.47ps/℃,滿足資料中給出的不大于10ps/℃的要求,實(shí)驗(yàn)室環(huán)境溫度從16℃上升到24℃,分辨率降低1.71ps,譜儀穩(wěn)定系數(shù)較好;提出了一種正電子壽命譜儀分辨率理論預(yù)
4、測(cè)的方法,分辨率理論估算值和實(shí)驗(yàn)測(cè)量值符合較好,證明了預(yù)測(cè)方法的可行性;介紹了系統(tǒng)時(shí)間分辨函數(shù)的確定方法,并在動(dòng)態(tài)法能窗下,用<'22>Na源測(cè)Fe樣品的壽命譜,用Visual C++語(yǔ)言編寫的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換程序獲取數(shù)據(jù),用國(guó)際上比較通用的POSITRONFIT程序進(jìn)行三組分自由擬合,得到樣品中Fe的正電子壽命為106ps,與相關(guān)參考文獻(xiàn)所給值(107ps)相差lps;分析了測(cè)試過程中的背散射、脈沖迭加影響以及減小影響的方法,進(jìn)而總結(jié)出能窗調(diào)
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