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文檔簡介
1、 本論文主要針對FRAM用PZT鐵電薄膜進(jìn)行了研究，對薄膜厚度和晶粒尺寸與薄膜的鐵電性和極化反轉(zhuǎn)電流的關(guān)系進(jìn)行了實(shí)驗(yàn)和理論分析。對控制薄膜不同取向生長的機(jī)理進(jìn)行了探討，并對薄膜結(jié)晶取向?qū)﹁F電性和疲勞的影響進(jìn)行了討論?！ ⊥ㄟ^傳統(tǒng)退火和快速退火方式，成功的制備了(111)和(100)不同擇優(yōu)取向的PZT鐵電薄膜，對影響薄膜取向生長的機(jī)理進(jìn)行了討論，實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明，在退火過程中，升溫速率是決定薄膜不同擇優(yōu)生長的重要因素之一。討論了薄膜的織
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