PZT鐵電薄膜Sol-Gel制備工藝及特性研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩66頁未讀， 繼續(xù)免費閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、新型非揮發(fā)鐵電存儲器(FeRAM)與傳統(tǒng)的EEPROM和FLASH非揮發(fā)存儲器相比,具有操作電壓低、功耗低、信息保持時間長、寫操作速度快、抗輻射等優(yōu)異的特性,非常適合嵌入式應(yīng)用的要求。而高性能集成鐵電薄膜是FeRAM器件的關(guān)鍵組成部分,因此本論文主要對用于嵌入式鐵電存儲器的集成鐵電薄膜材料進行了深入研究。
　　根據(jù)嵌入式鐵電存儲器對鐵電材料的要求,本文選擇了Zr/Ti比為30/70的PZT為嵌入式鐵電存儲器用材料。用Sol-Gel

2、法在Pt/Ti/SiO2/Si(100)結(jié)構(gòu)電極上制備出了PbZr0.30Ti0.70O3, PbTiO3/PbZr0.30Ti0.70O3/PbTiO3和 PbTiO3/PbZr0.30Ti0.70O3/PbZrO3/PbZr0.30Ti0.70O3/PbTiO3等不同結(jié)構(gòu)的鐵電薄膜。對Sol-Gel工藝中溶膠配制、薄膜厚度及均勻性控制和熱處理工藝等三個重要的環(huán)節(jié)進行了優(yōu)化,得到了重復(fù)性高、均勻性好的薄膜制備方法。通過對不同結(jié)構(gòu)鐵電薄

3、膜的微結(jié)構(gòu)與電學(xué)性能的討論,指出表面PT層與底部PT層一樣可增強薄膜的結(jié)晶性能和電學(xué)性能。討論了引起PZT疲勞的不同原因,為進一步改善PZT薄膜的疲勞特性,引入PbTiO3/PbZr0.30Ti0.70O3/PbZrO3/PbZr0.30Ti0.70O3/ PbTiO3夾層結(jié)構(gòu),通過對此種結(jié)構(gòu)鐵電薄膜的微結(jié)構(gòu)與電學(xué)性能的討論,指出PbTiO3/PbZr0.30Ti0.70O3/PbZrO3/PbZr0.30Ti0.70O3/PbTiO3

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論