高鋯鈦比PZT薄膜的Sol-Gel方法制備和鐵電性能的研究.pdf

1、近半個(gè)世紀(jì)以來(lái),科學(xué)和生產(chǎn)發(fā)展的事實(shí)說(shuō)明，電子學(xué)的發(fā)展深刻影響著當(dāng)今社會(huì)的各個(gè)領(lǐng)域。而在電子學(xué)的發(fā)展中，起重要作用的是在理論研究的指導(dǎo)下，關(guān)鍵性的新器件和新材料的制造。薄膜科學(xué)就是開(kāi)發(fā)新材料和新器件非常重要的領(lǐng)域。 鐵電薄膜早在幾十年前就已問(wèn)世，但是直到近幾年才得到廣泛的重視并投入力量加以研究和開(kāi)發(fā)使用，它可用于電子技術(shù)、激光技術(shù)、紅外探測(cè)技術(shù)、光電檢測(cè)技術(shù)以及其它工程技術(shù)方面。Pb(Zr,Ti)O3(通常簡(jiǎn)寫(xiě)為PZT)是五十年

2、代初出現(xiàn)的一種鐵電材料，由于其介電、鐵電、壓電及熱釋電性可通過(guò)改變Zr/Ti的份量比以及摻雜的方法得到改善，因此倍受國(guó)內(nèi)外的關(guān)注。 本文基于前人的實(shí)驗(yàn)理論，研究了用溶膠-凝膠(Sol-Gel)法制備高鋯鈦比(Zr/Ti=95/5)的鋯鈦酸鉛薄膜,并研究其結(jié)構(gòu)和電性能。實(shí)驗(yàn)中薄膜樣品的結(jié)構(gòu)為Ag/PZT/LNO/Si，Si為基底材料，Ag和LNO分別為PZT薄膜的上電極和下電極，LNO薄膜用Sol-Gel方法制備在Si基底上，PZ