大功率半導(dǎo)體激光器高效激勵(lì)源的研究.pdf

1、本文以電池供電的LD激勵(lì)源作為研究對(duì)象，分別從直流-直流(DC/DC)轉(zhuǎn)換器和恒流電路兩方面著手，對(duì)實(shí)現(xiàn)LD高效激勵(lì)的方案和技術(shù)解決途徑進(jìn)行了探索。根據(jù)大功率LD的負(fù)載特性，在分析、比對(duì)幾種主要的激勵(lì)源電路拓?fù)湫问降幕A(chǔ)上，確定了DC/DC轉(zhuǎn)換器和恒流電路的基本拓?fù)漕愋?；?duì)DC/DC轉(zhuǎn)換器和恒流電路的損耗機(jī)理進(jìn)行了分析，確定了主要損耗點(diǎn)；架構(gòu)了非隔離降壓(BUCK)DC/DC電路結(jié)構(gòu)，結(jié)合同步整流技術(shù)進(jìn)行了高、低側(cè)MOSFET的低損耗技

2、術(shù)研究，提高了DC/DC的轉(zhuǎn)換效率；提出了一種新型的附加諧振網(wǎng)絡(luò)零電壓軟開關(guān)技術(shù)，顯著降低了整流MOSFET體二極管損耗，進(jìn)一步提高了DC/DC的轉(zhuǎn)換效率改善轉(zhuǎn)換器效率；對(duì)帶隙基準(zhǔn)輸出進(jìn)行恒流二次基準(zhǔn)處理，提高了基準(zhǔn)電壓穩(wěn)定度。有效地降低了電流取樣電阻，顯著減小了取樣損耗并提高了恒流電路的供電效率；研究了恒流電路中功率MOSFET的損耗機(jī)理，確立了以動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻(RDS(on))為主的器件篩選原則，降低了MOSFET的損耗。設(shè)計(jì)了一款非