

版權說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權,請進行舉報或認領
文檔簡介
1、隨著納米科技的發(fā)展,一維半導體納米材料的研究與應用越來越引起更為廣泛的關注。SiC基-維納米材料不僅集中了SiC和-維納米材料的優(yōu)點,還在電磁、光、熱和機械性能等方面有著優(yōu)異的性質,在復合材料、電子器件等領域極具發(fā)展?jié)摿?。SiC納米異質結材料在繼承SiC-維納米材料的優(yōu)點的基礎上,又集合了其它材料的優(yōu)異性質,進一步拓寬了其應用領域。因此,研究SiC-維納米材料和SiC納米異質結的合成及性質具有深遠意義。
本論文通過圍繞Si
2、C納米異質結的可控生長展開研究,以研制新穎的異質結構為目標,利用化學氣相沉積法(CVD)為制各手段,優(yōu)化制備工藝參數(shù)條件,達到大面積、高質量可控地制各出SiCl-SiCO2異質結、SiC—CNT/C異質結陣列和SiC/C納米電纜,實現(xiàn)對SiC基-維納米材料結構-性能的調(diào)控。
通過系統(tǒng)研究其XRD、SEM、TEM、拉曼以及XPS等數(shù)據(jù),分析并提出了它們的生長機制,相關研究成果如下:
(1)制各直徑約為100nm
3、,長度為幾十微米3c-SiC納米線,得到SiC納米線的最優(yōu)工藝參數(shù),其生長機制遵循VLS生長機制;
(2)制各三維網(wǎng)狀SiC-SiO2核殼異質結,證明其具有優(yōu)異的紫外發(fā)光能力,其生長機制遵循VLS生長機制;
(3)制備新穎的SiC-CNT/C異質結陣列,其結構為無定形C層包裹著的多壁碳納米管陣列,在CNT/C的頭部有SiC顆粒,其生長機制為頂端生長機理和密度限制機理共同作用:
(4)制備一種新型
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽,若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責。
- 6. 下載文件中如有侵權或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- SiC一維納米材料的N摻雜及場發(fā)射性能研究.pdf
- 一維納米電池關鍵材料的合成及性能調(diào)控.pdf
- SiC一維納米材料的合成、性能、機理及量產(chǎn)化工藝研究.pdf
- 大量SiC一維納米材料合成工藝研究.pdf
- 不同形貌SiC一維納米材料的合成、機理及性能研究.pdf
- La、Ce摻雜SiC一維納米材料的制備及場發(fā)射性能研究.pdf
- C60基一維納米材料的制備及性能研究.pdf
- 一維納米材料的鋰電性能研究.pdf
- 磁性碳納米管基一維納米復合材料的制備及組織結構和性能.pdf
- 準一維納米材料的制備及光學性能研究.pdf
- 一維納米材料的濕敏性能研究.pdf
- SiC一維納米材料的生產(chǎn)工藝及生長機理研究.pdf
- 一維納米結構材料的合成及磁組裝.pdf
- GaN和SiC一維納米結構物性的原子尺度模擬.pdf
- 一維納米導電材料的制備及其性能研究.pdf
- 一維納米結構的ZnO光電探測性能研究.pdf
- SiC一維納材料在不同基片上的合成、機理及性能研究.pdf
- 二維納米材料的理論設計與性能調(diào)控.pdf
- ZnO一維納米材料的制備及其性能研究.pdf
- 一維納米硅材料的制備與性能研究.pdf
評論
0/150
提交評論