SiC一維納米材料的合成、性能、機(jī)理及量產(chǎn)化工藝研究.pdf

1、SiC一維納米材料的合成、性能、機(jī)理及量產(chǎn)化工藝研究學(xué)位論文完成日期：指導(dǎo)教師簽字：答辯委員會(huì)成員簽字：鍪萋墨塹二維納苤撾抖的金盛!性能!也理厘量芒絲工苧研究基底，在立式真空可控氣氛爐內(nèi)進(jìn)行了SiC納米線的合成工藝優(yōu)化研究。結(jié)合前期成果，系統(tǒng)分析了催化劑種類與反應(yīng)保溫時(shí)間對(duì)大量制備SiC一維納米材料的產(chǎn)量和形貌的影響規(guī)律，并獲得了優(yōu)選的工藝參數(shù)。(5)采用CVR方法，在自主設(shè)計(jì)制造的三室式連續(xù)生產(chǎn)真空可控氣氛爐(ZL2005101044

2、864)內(nèi)以新型石墨(G)作為固體碳源，si粉作為硅源進(jìn)行了SiC納米線的量產(chǎn)化制備實(shí)驗(yàn)。系統(tǒng)研究了反應(yīng)溫度、預(yù)熱溫度、二次升溫速率及反應(yīng)時(shí)間等工藝參數(shù)對(duì)SiC納米線的產(chǎn)量、形貌及物相的影響規(guī)律，獲得了SiC納米線量產(chǎn)化的優(yōu)選工藝為。該研究為SiC納米線的應(yīng)用及其相關(guān)性能的研究奠定了堅(jiān)實(shí)的物質(zhì)基礎(chǔ)。(6)系統(tǒng)研究了退火處理過(guò)程中的溫度、氣氛、時(shí)間等因素對(duì)SiC納米線的光致發(fā)光性能的影響規(guī)律。結(jié)果表明：隨著SiC納米線退火溫度的升高，樣品