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文檔簡(jiǎn)介
1、作為寬禁帶半導(dǎo)體材料的代表,碳化硅具有禁帶寬度大(Eg>2.3eV)、臨界擊穿電場(chǎng)高、載流子飽和速度大以及熱導(dǎo)率高等優(yōu)良特性,特別適合用于制作抗輻射、高溫、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。JBS(junctionbarrier schottky,結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管)結(jié)合了PiN二極管的高耐壓低漏電流和肖特基二極管的低導(dǎo)通壓降的特點(diǎn),4H-SiC JBS二極管結(jié)合了碳化硅材料的電學(xué)性能優(yōu)勢(shì)和JBS二極管的結(jié)構(gòu)優(yōu)勢(shì),具有傳統(tǒng)功率二極管所
2、不具備的優(yōu)良電學(xué)特性,廣泛適用于高頻、高壓和大功率領(lǐng)域,是現(xiàn)階段功率二極管的主要發(fā)展方向。
本文的主要工作是4H-SiC JBS器件的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和優(yōu)化,采用二維器件模擬仿真軟件ATLAS,對(duì)高壓4H-SiC JBS器件結(jié)構(gòu)和類JBS結(jié)構(gòu)進(jìn)行了仿真研究和優(yōu)化。以4H-SiC JBS的正向?qū)ㄌ匦院头聪蚪刂固匦苑抡妗⒎治龊脱芯繛榛A(chǔ),通過(guò)在有源區(qū)嵌入氧化層及使用異質(zhì)結(jié)替代肖特基接觸,改善了器件的正向?qū)▔航?,降低器件的?dǎo)通電阻和提高
3、器件耐壓。提出了兩種新型結(jié)構(gòu):
(1)ESO-JBS,在有源區(qū)(P+區(qū))嵌入一層氧化層;
(2)HJBD,使用異質(zhì)結(jié)替代傳統(tǒng)JBS器件的肖特基接觸。ESO-JBS器件在保證器件耐壓不降低、漏電流不增大的前提下,利用氧化層,增大了器件正向偏置時(shí)的有效肖特基面積,有效降低了正向?qū)▔航担瑴p小了器件的導(dǎo)通電阻;HJBD在能夠在正向特性與普通JBS相當(dāng)時(shí)明顯增大器件的耐壓或者在器件耐壓相當(dāng)?shù)那疤嵯旅黠@改善器件的正向性能。通過(guò)
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