一種新型電致近紫外發(fā)光材料的設(shè)計(jì)、合成及性質(zhì)表征.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、有機(jī)電致近紫外發(fā)光材料在全色顯示、信息存儲(chǔ)、照明光源以及偏振光源等方面具有獨(dú)特的優(yōu)勢。為了制備電致有機(jī)近紫外發(fā)光材料,本研究借鑒了共軛高分子能帶工程中的取代基修飾的思路,在共軛高分子主鏈上引入合適的取代基,不僅提高了聚合物的溶解性,而且通過調(diào)節(jié)取代基的立體結(jié)構(gòu)及電子效應(yīng)改變了聚合物的共軛平面,從而成功的控制聚合物的能帶隙。本論文由分子設(shè)計(jì)出發(fā),通過Suzuki金屬催化偶聯(lián)反應(yīng),使用不同的共聚單體合成了以聚苯為主鏈,三聯(lián)苯衍生物為側(cè)基的主

2、鏈上側(cè)基密度不同的單苯共聚物P1和雙苯共聚物P2、P3。單體及聚合物的化學(xué)結(jié)構(gòu)通過IR、NMR和元素分析得到確證。聚合物外觀為灰白色粉狀固體,室溫下溶于CHCl3和THF等有機(jī)溶劑。
   通過核磁共振譜、凝膠滲透色譜法、帶熱臺(tái)的偏光顯微鏡、紫外-可見光吸收和熒光光譜分析,考察了三聯(lián)苯衍生物側(cè)基、不同鍵接方式及主鏈苯環(huán)密度對聚合物分子量、液晶性質(zhì)及其光學(xué)性能的影響。研究結(jié)果發(fā)現(xiàn):末端烷氧基的增加可以提高聚合物主鏈的立構(gòu)規(guī)整性,改

3、善聚合物的溶解性,提高聚合物的溶液熒光量子效率。聚合物P1旋涂膜的最大發(fā)射峰位置在400 nm,P2旋涂膜的最大發(fā)射峰位置在410 nm,P3旋涂膜的最大發(fā)射峰位置在416 nm。說明側(cè)基密度增大,主鏈發(fā)生扭曲,共軛效應(yīng)減弱,造成發(fā)射峰藍(lán)移;側(cè)基密度減小,主鏈平面性較好,發(fā)射峰發(fā)生紅移。從而得出:增大分子的空間位阻,可以得到近紫外發(fā)光聚合物。另外,P3的酯鍵連接相比于P1、P2的醚鍵連接,在液晶態(tài)加熱后,聚合物的最大熒光發(fā)射峰藍(lán)移至39

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