新型分子基相變晶體材料的合成、表征及性質研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、相變晶體材料在結構相變過程中表現(xiàn)出突變性的電學、熱學、光學性質,引起了許多物理學家和化學家極大的研究興趣。近年來,國內外在相變晶體材料方面的研究論文成指數(shù)增長,相變晶體材料特別是鐵電晶體有著重要的理論和工業(yè)應用研究價值。為了研究具有相變的晶體材料,本文合成了一系列具有相變的化合物,研究其微觀晶體結構、熱學和介電性質。
  1、利用結構易變的吡咯烷分子和氯化鋅、鹽酸反應,合成了一例相變化合物[C4H10N]2[ZnCl4](1)。通

2、過差示掃描量熱(DSC)測試發(fā)現(xiàn)其相變溫度為339.5 K。分別測得了該化合物常溫、高溫結構,對結構進行對比分析發(fā)現(xiàn),金屬鋅離子的相對位移是該化合物發(fā)生結構相變的主導因素。介電性質測試發(fā)現(xiàn),該化合物在室溫以上存在溫度依賴的介電常數(shù)高低狀態(tài)的轉變。
  2、利用結構易出現(xiàn)有序-無序的三乙烯二胺與丙二酸反應,合成了[HN(CH2CH2)3NH][OOC(CH2)COOH]2(2)。進行DSC測試發(fā)現(xiàn)其相變溫度為228K。分別測量了其室

3、溫結構與低溫結構,并進行了結構對比,發(fā)現(xiàn)1,4-diazoniabicylo[2,2,2,]octane(dabco)離子的有序-無序化運動主導了晶體的結構相變。介電測試發(fā)現(xiàn)在相變溫度附近,出現(xiàn)介電常數(shù)呈現(xiàn)臺階性突變。
  3、利用多構型且構型易變的甘氨酸分子,以酸性較強的氟硅酸做陰離子,合成了相變化合物氟硅酸-三甘氨酸(3)。通過DSC測試發(fā)現(xiàn)其相變溫度在258 K附近。分別測得化合物室溫、低溫結構,分析對比結構,發(fā)現(xiàn)氟硅酸中氟

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