利用自對準工藝制備多晶硅TFT的研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、近年來，隨著多晶硅 TFT技術的不斷發(fā)展，其應用也越來越廣泛，并被視為a-Si TFT的理想替代品。相對于 a-Si TFT，poly-Si TFT有其明顯的優(yōu)勢：高遷移率、高速高集成化、p型和n型導電模式、自對準結構以及耗電省、分辨率高等優(yōu)點，能夠提供更亮、更精細的畫面。其中p型和n型的導電模式不僅可以實現LCD的驅動，而且也可以實現OLED的驅動。因此采用多晶硅薄膜晶體管（TFT）有源矩陣是未來大屏幕、高分辨率平板顯示的首選驅動方法

2、之一。
　　在制備多晶硅 TFT時，由于機器的套準誤差會在柵極與源、漏極之間產生重疊部分，這樣就造成了柵源、柵漏之間的交疊電容，交疊電容的存在嚴重影響了多晶硅 TFT的性能，而利用自對準工藝制備的多晶硅 TFT則避免了交疊電容的產生。本文主要講述了利用自對準方法制備多晶硅 TFT的工藝，并對制備 TFT過程中的曝光、顯影、光刻以及功能材料的刻蝕工藝做了研究，摸索出了一套制備多晶硅TFT的方法，取得了一些有用的數據，希望對后續(xù)的工作

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