PECVD多晶硅薄膜制備工藝和性能的研究.pdf_第1頁(yè)
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1、河北工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文PECVD多晶硅薄膜制備工藝和性能的研究姓名：張會(huì)娟申請(qǐng)學(xué)位級(jí)別：碩士專業(yè)：材料物理與化學(xué)指導(dǎo)教師：劉彩池20100301PECVD多晶硅薄膜工藝與性能的研究iiINVESTIGATIONINVESTIGATIONINVESTIGATIONINVESTIGATIONONONONONTECHNOLOGYTECHNOLOGYTECHNOLOGYTECHNOLOGYPROPERTPROPERTPROPERTPROPER

2、TIESIESIESIESOFOFOFOFPOLYCRYSTALLINEPOLYCRYSTALLINEPOLYCRYSTALLINEPOLYCRYSTALLINESILICONSILICONSILICONSILICONTHINTHINTHINTHINFILMFILMFILMFILMPREPAREDPREPAREDPREPAREDPREPAREDBYBYBYBYPECVDPECVDPECVDPECVDABSTRACTABSTRACTABS

3、TRACTABSTRACTRecentlywiththerapiddevelopmentofsolarphotovoltaictechnologyliquidcrystaltheotherfieldsthepolycrystallinethinfilmsplayaimptantrolearonicmaterialsduetoitsperfectopticalperfmancelowcost.Meconcernsareputonthest

4、udyofpolycrystallinesiliconthinfilms.Therefehowtopreparehighqualitypolycrystallinesiliconthinfilmsareofgreatsignificance.InthisthesistheamphoussiliconthinfilmsaredepositedbyPECVDthenobtainpolycrystallinesiliconthinfilmsb

5、yRTP.Theinfluenceofdifferentdepositionparametersannealingparametersonamphoussiliconthinfilmsiswellstudied.Firstlytheeffectofannealingtimetemperatureoncompositionstructureofamphoussiliconthinfilmswasexaminedinthispaper.Th

6、erelationshipbetweenthecontainofHannealingtimeannealingtemperaturewasinvestigatedalsothevariationofthinfilmscrystallizationwithannealingtimeannealingtemperaturewasgiveninthepaper.Secondlypolycrystallinesiliconthinfilmswi

7、thdifferentcrystalvolumefractionweremadetheinfluenceofsinglestepgradualsteponmphologystructureofthinfilmswasstudied.Polycrystallinesiliconthinfilmsbygradualstepannealingdeservedsmoothersurfacewithlowdefectdensitymicrohol

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