籽晶工藝鑄造多晶硅的研究.pdf

1、鑄造多晶硅中存在大量雜質和缺陷,造成多晶硅少子壽命偏低。鑄造多晶硅的固-液界面的不平整,造成長晶后期晶體少子壽命不均勻,降低了多晶硅錠的質量。
　　本文使用 WT-2000少子壽命測試儀測試多晶硅的少子壽命,用 PL測試儀測試硅片的位錯密度等,通過對比分析無籽晶工藝和有籽晶工藝的測試結果,得到以下結論:
　　1.無籽晶工藝硅錠底部固-液界面為凸型,靠近坩堝中心和坩堝壁的晶棒少子壽命差異較大,且不平整的固-液界面對晶體后續(xù)生長

2、有較大影響,固液界面波動越大,該區(qū)域的少子壽命變化較大;
　　2.底部鋪籽晶的多晶硅硅錠中心硅錠的固-液界面較無籽晶工藝更加平整,每個硅塊少子壽命均有所提高,其中中心晶棒由4.44μs變?yōu)?.01μs,提高了0.57μs,邊緣晶棒由2.81μs變?yōu)?.76μs,平均提高了1.95μs;有籽晶工藝的中心錠硅片平均少子壽命提高0.4μs;
　　3.對比無籽晶工藝和有籽晶工藝中心錠、邊緣錠和邊角錠的底部紅區(qū)少子壽命細化圖,發(fā)現(xiàn)無籽

3、晶工藝底部少子壽命是按照大-小-大的趨勢變化,而有籽晶則表現(xiàn)為由大不斷遞增的變化趨勢;且有籽晶工藝硅錠少子壽命的均勻度要明顯高于無籽晶工藝;
　　4.從PL測試結果可以看出,采用籽晶工藝能夠降低硅片的位錯密度,降低幅度為13％-20%,且晶粒尺寸有所增加,增加2.12mm;
　　5.將兩種工藝的硅錠切片并制作為太陽電池,籽晶工藝能夠獲得較高效率的太陽電池,效率由16.74%提高到17.20%,提高了0.46%。
　　以