電阻存儲器RRAM的可靠性研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著便攜式電子設備的不斷普及,人們對于高密度、高速度、低功耗以及低成本的非揮發(fā)存儲器的需求也在與日俱增。目前,Flash仍是非揮發(fā)存儲技術(shù)的主流,占據(jù)了非揮發(fā)存儲器市場約90％的份額,但隨著半導體工藝技術(shù)代的不斷推進,Flash遇到了越來越多的瓶頸問題,比如浮柵厚度不能隨著器件尺寸的縮小而無限制地減薄。此外,Flash的其它技術(shù)缺點也限制了其應用,如操作電壓高、寫入速度慢等。這就迫使人們尋找性能更為優(yōu)越的下一代非揮發(fā)存儲技術(shù),比如,MR

2、AM(磁阻存儲器)、FeRAM(鐵電存儲器)、PCM(相變存儲器,又稱PRAM)等,然而這些存儲器又都各自存在著各自的缺點。
　　基于金屬氧化物的電阻存儲器RRAM由于其結(jié)構(gòu)簡單、成分精確可控、與邏輯工藝兼容等優(yōu)點,被認為是最具潛力的下一代非揮發(fā)存儲技術(shù)。然而,電阻存儲器的研發(fā)還只是處于起步階段,對它的電學性能可靠性以及測試系統(tǒng)所引發(fā)的一系列可靠性問題的研究還有待進一步地深入展開。
　　本文系統(tǒng)研究了基于CuxO薄膜的電阻存

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