電阻存儲(chǔ)器RRAM的可靠性研究.pdf_第1頁
已閱讀1頁，還剩56頁未讀， 繼續(xù)免費(fèi)閱讀

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請(qǐng)進(jìn)行舉報(bào)或認(rèn)領(lǐng)

文檔簡介

1、隨著便攜式電子設(shè)備的不斷普及,人們對(duì)于高密度、高速度、低功耗以及低成本的非揮發(fā)存儲(chǔ)器的需求也在與日俱增。目前,Flash仍是非揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)的主流,占據(jù)了非揮發(fā)存儲(chǔ)器市場約90％的份額,但隨著半導(dǎo)體工藝技術(shù)代的不斷推進(jìn),Flash遇到了越來越多的瓶頸問題,比如浮柵厚度不能隨著器件尺寸的縮小而無限制地減薄。此外,Flash的其它技術(shù)缺點(diǎn)也限制了其應(yīng)用,如操作電壓高、寫入速度慢等。這就迫使人們尋找性能更為優(yōu)越的下一代非揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù),比如,MR

2、AM(磁阻存儲(chǔ)器)、FeRAM(鐵電存儲(chǔ)器)、PCM(相變存儲(chǔ)器,又稱PRAM)等,然而這些存儲(chǔ)器又都各自存在著各自的缺點(diǎn)。
　　基于金屬氧化物的電阻存儲(chǔ)器RRAM由于其結(jié)構(gòu)簡單、成分精確可控、與邏輯工藝兼容等優(yōu)點(diǎn),被認(rèn)為是最具潛力的下一代非揮發(fā)存儲(chǔ)技術(shù)。然而,電阻存儲(chǔ)器的研發(fā)還只是處于起步階段,對(duì)它的電學(xué)性能可靠性以及測試系統(tǒng)所引發(fā)的一系列可靠性問題的研究還有待進(jìn)一步地深入展開。
　　本文系統(tǒng)研究了基于CuxO薄膜的電阻存

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請(qǐng)下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請(qǐng)聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會(huì)有圖紙預(yù)覽，若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲(chǔ)空間，僅對(duì)用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護(hù)處理，對(duì)用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對(duì)任何下載內(nèi)容負(fù)責(zé)。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當(dāng)內(nèi)容，請(qǐng)與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準(zhǔn)確性、安全性和完整性, 同時(shí)也不承擔(dān)用戶因使用這些下載資源對(duì)自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評(píng)論

0/150

提交評(píng)論