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文檔簡介
1、本文從Henry提出的基本理論出發(fā)，考慮了帶間躍遷、帶隙收縮和自由載流子的吸收三方面因素對線寬展寬因子(α因子)的影響，給出了一種計算半導(dǎo)體激光器α因子的簡單方法。這種方法能夠通過光子能量對載流子濃度的微分和微分增益實現(xiàn)α因子的簡便計算。
模擬計算了GaAs、InP和InAs體材料的增益譜，得到了三種材料的線寬展寬因子，發(fā)現(xiàn)對于帶隙較寬和導(dǎo)帶有效質(zhì)量較大的材料，可以忽略自由由載流子吸收的影響。由于量子阱激光器具有增益、功率和線
2、寬等優(yōu)勢以及其實用價值，著重研究了InGaAs/GaAs量子阱激光器的增益譜和α因子，討論了量子阱阱寬、In組分和不同溫度對應(yīng)的閾值載流子濃度對α因子的影響。結(jié)果表明，α因子隨阱寬和In組分的增加而增加，隨著閾值載流子濃度的增加而降低。
通過對1.06μmInGaAs/GaAs量子阱阱寬和In組分的選擇，制備了小α因子的激光器。實驗測量了激光器的α因子，分析了引起理論和實驗值差別的原因可能是溫度的升高以及有源區(qū)材料的缺陷和位錯
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