CdS-ZnO納米線異質結構的制備與性質研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著現(xiàn)代化工業(yè)進程的不斷加快,人們對能源的需求進一步加大。太陽能作為一種極其重要的可再生能源受到了人們廣泛關注。如何低成本的利用太陽能發(fā)電成為人類社會面臨的重大挑戰(zhàn)之一。為了更加有效的轉化和利用太陽能,獲得性能穩(wěn)定、光電轉化效率高的極薄窄帶隙半導體異質結太陽電池,我們對CdS／ZnO納米線異質結構光電極進行了制備和性質分析。
　　 本研究主要工作如下:一方面,制備ZnO納米線陣列,通過對成核和生長條件的控制改變納米線長度、密度、

2、長徑比、取向等形貌。另一方面,在ZnO納米線陣列上沉積CdS窄帶隙半導體薄層,調(diào)節(jié)窄帶隙半導體光吸收層的厚度等進而制備有良好光吸收性質的窄帶隙半導體薄層／氧化物半導體納米線電極。
　　 利用掃描和透射電鏡、X-射線衍射技術、紫外.可見吸收光譜、拉曼光譜(Raman)等測試手段表征ZnO納米線陣列及CdS／ZnO納米線異質結構的形貌和光學質量等性質；研究沉積條件、退火熱處理等因素對CdS薄層的均勻性、厚度、和晶粒尺寸等的影響。利用

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