CdS-ZnO納米線異質(zhì)結(jié)構(gòu)的制備與性質(zhì)研究.pdf

1、隨著現(xiàn)代化工業(yè)進程的不斷加快,人們對能源的需求進一步加大。太陽能作為一種極其重要的可再生能源受到了人們廣泛關(guān)注。如何低成本的利用太陽能發(fā)電成為人類社會面臨的重大挑戰(zhàn)之一。為了更加有效的轉(zhuǎn)化和利用太陽能,獲得性能穩(wěn)定、光電轉(zhuǎn)化效率高的極薄窄帶隙半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)太陽電池,我們對CdS／ZnO納米線異質(zhì)結(jié)構(gòu)光電極進行了制備和性質(zhì)分析。
　　 本研究主要工作如下:一方面,制備ZnO納米線陣列,通過對成核和生長條件的控制改變納米線長度、密度、

2、長徑比、取向等形貌。另一方面,在ZnO納米線陣列上沉積CdS窄帶隙半導(dǎo)體薄層,調(diào)節(jié)窄帶隙半導(dǎo)體光吸收層的厚度等進而制備有良好光吸收性質(zhì)的窄帶隙半導(dǎo)體薄層／氧化物半導(dǎo)體納米線電極。
　　 利用掃描和透射電鏡、X-射線衍射技術(shù)、紫外.可見吸收光譜、拉曼光譜(Raman)等測試手段表征ZnO納米線陣列及CdS／ZnO納米線異質(zhì)結(jié)構(gòu)的形貌和光學(xué)質(zhì)量等性質(zhì)；研究沉積條件、退火熱處理等因素對CdS薄層的均勻性、厚度、和晶粒尺寸等的影響。利用