低溫下單根ZnO納米線的光電性質(zhì).pdf

1、ZnO在新興的納電子學(xué)和光電子學(xué)中有潛在的應(yīng)用，使其在納米光電子器件、納米傳感器、光電子器件等方面擁有巨大的應(yīng)用空間和潛力。由于表面效應(yīng)，ZnO納米線的導(dǎo)電性質(zhì)受環(huán)境氣氛、溫度及光輻射的影響顯著，因此，對低溫下單根 ZnO納米材料電阻隨溫度變化的研究以及紫外光響應(yīng)的研究，有助于更好地理解一維納米結(jié)構(gòu)的電子輸運(yùn)行為。
　　本文采用化學(xué)氣相沉積（CVD）法合成 ZnO納米線。利用微柵模板法制備單根氧化鋅納米線歐姆接觸的微電極，為了研究

2、單根 ZnO納米線器件在低溫下的電子傳輸機(jī)制，對器件在60 K~300 K溫度范圍內(nèi)單根ZnO納米線電阻隨溫度的變化特性進(jìn)行了測試，并對電阻隨溫度變化的數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合，得到160 K~300 K溫度內(nèi)，熱激活傳導(dǎo)為主要的輸運(yùn)機(jī)制。而在60K~140 K溫度內(nèi)，載流子只能在最近鄰能態(tài)上進(jìn)行跳躍傳導(dǎo)，即此時近程跳躍傳導(dǎo)為主要的輸運(yùn)機(jī)制。在300 K、200K、100K等不同溫度下測試了單根 ZnO納米線器件的紫外光響應(yīng)和恢復(fù)情況。結(jié)果表明，低