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文檔簡介
1、氚是重要的核燃料,不銹鋼具有良好的結構性能,是核反應堆及其它氚設施中的重要結構材料。實際應用過程中,人們經常遇到的重大難題就是不銹鋼材料的氚污染問題,受氚污染的不銹鋼材料發(fā)生氫脆,破壞不銹鋼結構性能,而且氚在不銹鋼材料表面進行同位素交換產生的HTO對人體危害極大,使人們在氚設施的操作和使用過程中存在極大的安全隱患。因此研究氚在不銹鋼材料中的形態(tài)和分布,對氚設施的安全使用、維護和去污等提供相應參數(shù)具有重大意義。
本文通過化學
2、蝕刻法分別對實驗室現(xiàn)制的氚污染不銹鋼樣品和待退役氚工藝生產線上的氚污染不銹鋼樣品進行分層蝕刻,獲得了不同氚氛圍下不銹鋼材料中氚的分布深度和形態(tài),并分析了氚環(huán)境對其在不銹鋼材料中分布的影響。為不銹鋼材料在氚設施中的應用和氚污染不銹鋼材料的去污提供相關技術參數(shù)。
通過采用化學蝕刻方法對未被氚污染的不銹鋼樣品進行分層蝕刻,尋找最佳的蝕刻方法。在此基礎上對不同氚氛圍下制備的氚污染樣品進行分層蝕刻,實驗結果表明:在實驗室制備的氚污染
3、樣品和實際氚污染樣品中氚主要以HTO和HT形式存在,HTO占總氚量的90%以上。實驗室制備的氚污染樣品中氚主要聚集在不銹鋼表層0~2μm范圍內,而實際氚污染樣品中氚主要聚集在不銹鋼表層0~4μm范圍內,特別是以天平的稱量臺制備的氚污染不銹鋼樣品中的氚主要聚集在樣品表層0~8μm范圍內。氚活度都是隨著樣品深度增加而降低,實際樣品中HT所占比重較實驗室氚污染樣品增加,但是對總氚量來說還是極少。不銹鋼材料受氚污染過程中環(huán)境對其影響較大,主要是
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