MOS器件電離損傷的蒙特卡羅模擬研究.pdf

1、上世紀(jì)中期硅材料和硅晶體管的發(fā)明以及硅集成電路的研制成功開始，短暫的幾十年中，半導(dǎo)體材料已經(jīng)發(fā)展成為了21世紀(jì)信息社會高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的基礎(chǔ)材料，它深刻地影響著世界的政治經(jīng)濟(jì)格局以及軍事對抗的形式，也徹底改變了人們的生活方式。高能光子在半導(dǎo)體材料中的輸運(yùn)過程中會發(fā)生電離輻射效應(yīng)，電離輻射效應(yīng)在材料中會產(chǎn)生大量的能量沉積，在此環(huán)境中的半導(dǎo)體器件因為產(chǎn)生能量沉積而會造成巨大的電離損傷。對于MOS型器件，電離輻射在器件中能夠產(chǎn)生氧化物正電荷和引起界

2、面態(tài)，以致于造成閾值電壓漂移等。高能光子的電離輻射效應(yīng)極大的影響了半導(dǎo)體材料的廣泛應(yīng)用。在研究高能光子在半導(dǎo)體材料中輸運(yùn)的問題時，用適當(dāng)?shù)挠嬎銠C(jī)程序來計算半導(dǎo)體器件的特性隨物理和結(jié)構(gòu)參數(shù)變化的規(guī)律時，往往比實(shí)驗研究更為經(jīng)濟(jì)、快捷和可靠，所以現(xiàn)在國內(nèi)外學(xué)者大多都采用蒙特卡羅模擬方法。
　　 本文以MOS器件為研究對象，利用高能光子反應(yīng)截面數(shù)據(jù)庫，采用蒙特卡羅模擬方法，用C語言編寫了模擬程序，對高能光子在MOS器件的SiO2層中的輸