SET庫(kù)侖阻塞效應(yīng)蒙特卡羅模擬.pdf_第1頁(yè)
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1、按照摩爾定律的發(fā)展,我們目前的先進(jìn)技術(shù)特征尺寸是0.25微米,和0.18納米乃至正漸漸投入生產(chǎn)的0.13微米技術(shù).據(jù)ITRS(國(guó)際半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展路線圖)預(yù)測(cè),50納米生產(chǎn)技術(shù)將成熟于2009年前后,而20納米技術(shù)則出現(xiàn)于2017年左右。當(dāng)集成電路技術(shù)的發(fā)展進(jìn)入到亞50納米之后,常規(guī)的硅技術(shù)將被推進(jìn)到其極限而變得不再適用。集成電路技術(shù)的各個(gè)方面諸如器件結(jié)構(gòu)、加工技術(shù)以及材料選用等都將會(huì)發(fā)生重大的變化。一些全新的量子和納米電子器件諸如隧穿器

2、件、單電子器件,碳納米管器件等納米尺寸的新器件逐步成為人們研究的熱點(diǎn)。隨著固態(tài)器件朝著小尺度、低維方向發(fā)展,它邁入了一個(gè)嶄新的,由量子原理主宰的微觀世界,成為一種量子結(jié)構(gòu)。因此,固態(tài)器件技術(shù)演化成一種由人工構(gòu)造的具有量子效應(yīng)的結(jié)構(gòu)技術(shù)。這既為電子、光電子信息技術(shù)提供了新的發(fā)展機(jī)遇,同時(shí)又提出了新的挑戰(zhàn)。 單電子晶體管(Single-Electron Transistors,簡(jiǎn)寫為SET)作為集成電路的基本單元,晶體管的進(jìn)步,將能

3、引起電子技術(shù)的新一輪革命。由于其根本原理上的差別,較傳統(tǒng)晶體管而言,單電子晶體管可更大規(guī)模的集成,其體積可以縮小到原來(lái)的1%,所需電力也能夠減少到原來(lái)的10<'-6>,甚至更低。它極低的功耗可解決集成化不穩(wěn)定因素問(wèn)題。其高度集成化程度可遠(yuǎn)遠(yuǎn)超越目前大規(guī)模集成化的極限,并能達(dá)到海森伯不確定原理的極限而成為將來(lái)不可被取代的新型器件。 本文是利用蒙特卡羅方法模擬單電子晶體管(SET)在一定的幾何和物理?xiàng)l件下如何工作,從而得到器件的I-

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