新型GaAs-InGaAs量子效應光電探測器讀出設計.pdf

1、針對新型GaAs/InGaAs量子效應光電探測器具有的高靈敏度、大動態(tài)范圍等優(yōu)點，設計了CTIA-源極跟隨CDS讀出結構，針對傳統(tǒng)CDS的不足，還設計了可削弱像素串擾的源極跟隨CDS電路，應用TSMC0.35μm2P4M n阱CMOS工藝對讀出電路進行設計、仿真、版圖布局及驗證，實現(xiàn)了流片。
　　 比較了0.3.5μm工藝的CTIA讀出電路和0.5μm工藝的SI讀出電路對接2×8探測器陣列測試結果，獲得了積分時間、探測器偏壓及光

2、照功率等工作條件與響應電壓、噪聲等關鍵參數(shù)的關系。測試結果表明CTIA讀出條件的探測器偏壓穩(wěn)定，輸出信號線性度99.8％，輸出信號擺幅超過2V；而SI讀出結構的信噪比較高、芯片面積及功耗更小。通過對讀出電路改進方案進行了設計與仿真，證明改進設計可以降低讀出噪聲，提高動態(tài)范圍和靈敏度。
　　 通過對微弱交流信號模擬前端接收放大器的測試結果分析，模擬仿真了加入帶隙基準源，為放大器提供基準電壓及偏置電壓，減少外部環(huán)境的影響，用儀表放大