高應變率下孔洞生長與晶界斷裂機理研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、高應變率下材料的力學行為與準靜態(tài)加載下有很大的區(qū)別。而在現代工業(yè)文明中,許多材料都工作在高應變率下,如工程爆破、穿甲彈武器、高速加工成形等。研究材料在高應變率下的力學行為具有重要的指導意義。通過研究高應變率下材料在晶界處孔洞形核,孔洞在外力作用下的生長規(guī)律和相關的位錯運動機理,解釋高應變率下材料在晶界斷裂處的原因,揭示其內在機理,為預測材料在極端環(huán)境下的力學性能,具有重要的研究價值和實用價值。
  本文采用分子動力學方法模擬計算了

2、刃型位錯和螺型位錯與金屬鎢的孿晶界的相互作用,并模擬了多晶鎢在高應變率下的單軸拉伸。模擬計算結果表明,在晶粒尺寸小于9.19nm時,材料的強度隨著晶粒尺寸增長而增長,隨著應變率增長而增長??锥丛诰Ы缣幮魏?然后沿著晶界長大,之后多處孔洞連通導致材料破壞。在此過程中,晶界也會向材料內部發(fā)射位錯。當不同的位錯遇到孿晶界時,其反應也不一樣??赡鼙痪Ы缱璧K吸收,可能穿透晶界,也可能在晶界上分解成兩個不全位錯沿晶界滑動。
  本文研究了在零

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