鋯鈦酸鉛鐵電薄膜的制備及性能測(cè)試.pdf

1、鋯鈦酸鉛(PZT)薄膜具有優(yōu)良的介電、鐵電、壓電和光電特性，且抗輻射性強(qiáng)，不揮發(fā)，已廣泛地應(yīng)用于微電子，集成光學(xué)和微機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)等高技術(shù)領(lǐng)域。PZT的制備方法有很多，其中溶膠-凝膠(Sol-Gel)方法可以和集成電路(IC)光刻工藝相互兼容，處理溫度低，有大面積涂敷性能，能精確地控制組分，無需復(fù)雜的真空設(shè)備，成本低廉，所以對(duì)于集成鐵電薄膜電容的應(yīng)用這種方法有很廣闊的前景。
　　本文利用Sol-Gel技術(shù)在摻錫的In2O3透

2、明導(dǎo)電薄膜(ITO)襯底和低阻硅襯底上成功地制備了PZT鐵電薄膜。運(yùn)用了X射線衍射，Sawyer-Tower電路和LCR電橋分別對(duì)薄膜的晶化溫度，結(jié)構(gòu)和電學(xué)性能進(jìn)行了測(cè)試。XRD結(jié)果表明:在680℃低溫退火的條件下ITO襯底上的PZT薄膜晶化較完善;在800℃退火的條件下低阻硅襯底上的PZT薄膜形成鈣鈦礦相。Sawyer-Tower電路和LCR電橋測(cè)試結(jié)果表明:以ITO為襯底的PZT的剩余極化強(qiáng)度(Pr)為1936μC/cm2，矯頑場(chǎng)強(qiáng)