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1、熱釋電紅外傳感器具有成本低廉、無(wú)需制冷及紅外波長(zhǎng)無(wú)選擇性等優(yōu)點(diǎn),在紅外探測(cè)和紅外成像方面占有極其重要的地位,從而引起越來(lái)越多研究者的興趣。 本文采用傳統(tǒng)的固相法制備了熱釋電PZT 陶瓷,通過(guò)球磨制得了PZT 陶瓷粉體,以傳統(tǒng)的熱壓工藝制備了PZT/PVDF 復(fù)合熱釋電材料,并系統(tǒng)地研究了PZT/PVDF復(fù)合熱釋電材料地介電、壓電及熱釋電性,計(jì)算了其探測(cè)率優(yōu)值Fd,并進(jìn)一步從理論上進(jìn)行了探討。本文主要研究?jī)?nèi)容如下: 采用傳
2、統(tǒng)的單軸拉伸工藝制備了拉伸的PVDF 薄膜。結(jié)果表明最佳工藝條件是拉伸溫度為80℃,拉伸比R=5,退火溫度是120℃,在此條件下測(cè)得PVDF 薄膜具有明顯的鐵電性,熱釋電系數(shù)p=0.3×10-8c/cm2·K,壓電系數(shù)d33=9 PC/N,tanδ=0.015,εr=12。 采用傳統(tǒng)的固相法制備了熱釋電PZT 陶瓷,通過(guò)SEM、XRD、XPS 等分析方法,對(duì)其所產(chǎn)生的“束腰”消失現(xiàn)象進(jìn)行了分析。研究結(jié)果表明,過(guò)量的Mn 偏析于晶
3、界,使材料的晶界具有P 型導(dǎo)電性,偏析Mn 的量越多,晶界P型導(dǎo)電性越強(qiáng),氧缺位釘扎電疇的能力下降,電疇容易反轉(zhuǎn),從而導(dǎo)致“束腰”現(xiàn)象的消失。 通過(guò)傳統(tǒng)的熱壓工藝制備了0-3 型PZT/PVDF 復(fù)合熱釋電材料,運(yùn)用SEM、XRD 等分析手段對(duì)其表面形貌及微觀結(jié)構(gòu)進(jìn)行了分析,詳細(xì)討論了陶瓷體積分?jǐn)?shù)、極化強(qiáng)度和極化溫度對(duì)其介電、壓電、熱釋電的影響,結(jié)果表明,當(dāng)陶瓷體積分?jǐn)?shù)為0.47 時(shí),熱釋電系數(shù)p 及探測(cè)率優(yōu)值Fd均達(dá)到一個(gè)最大
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