減少180nm節(jié)點晶片表面污染物顆粒的優(yōu)化研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著半導體器件尺寸的迅速縮小，化學機械研磨(CMP)工藝以其優(yōu)異的全局平坦化能力，已經成為超大規(guī)模集成電路生產中的關鍵工藝之一。一般來說，CMP后晶片存在的典型缺陷包括:弧形的刮痕(scratch)，表面污染物顆粒殘留(particle)，水痕(water mark)以及金屬的損傷(metal damage)等。
　　對于CMP后晶片表面污染物顆粒殘留缺陷，主要是因為研磨后清洗系統(tǒng)過載，去除能力下降造成的。這些顆粒的產生與晶片等待

2、淀積二氧化硅的時間成正比。為了減少此類缺陷，本論文對生產線的產品生產程序進行了有效更新，從而避免了此類缺陷的產生。
　　此外，本文還對某些產品在通孔鎢研磨(VIA WCMP)之后，晶片表面的顆粒進行了分析研究。這些顆粒是源于在前一層金屬鋁蝕刻時，沒有對SPM(Scribelane Primary Mark，切割道對準標記)區(qū)域進行遮擋而產生鋁的脫落，形成IMDCMP后SPM區(qū)域的巨大高度差，直接導致了VIA WCMP后SPM內的金

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