IC缺陷紅外發(fā)光的數(shù)字鎖相顯示技術(shù)及其應(yīng)用研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、隨著半導體行業(yè)在摩爾定律的指引下不斷的發(fā)展,集成電路變得越來越小型化、多功能化,工藝的發(fā)展以及隨之而來的成本的增加成為一對矛盾制約著行業(yè)的更快進步,在這樣的前提下,失效分析作為半導體產(chǎn)業(yè)鏈中的組成部分其重要性正越來越多體現(xiàn)出來,通過有效的失效分析將能夠找到失效機理,將缺陷的發(fā)生概率盡早的消除,從而在不影響工藝創(chuàng)新的前提下很好的保證了產(chǎn)品的良品率。
　　 在失效分析中,失效定位起著越來越重要的作用,光發(fā)射顯微鏡(PEM)利用半導體

2、材料和器件的紅外發(fā)光特性可以快速的對失效位置進行定位,是用于半導體器件缺陷定位的有效工具,光發(fā)射顯微鏡的光發(fā)射(EMMI)探測功能和光束誘導電阻變化(OBIRCH)功能,兩者互為補充,能夠很好的應(yīng)對絕大多數(shù)失效模式。新的數(shù)字鎖相(Digital Lock-in)顯示技術(shù)為光發(fā)射顯微鏡的應(yīng)用帶來了新的變革。本文探討了紅外發(fā)光的機理以及與集成電路缺陷的關(guān)系,并重點研究了帶數(shù)字鎖相顯示技術(shù)的光發(fā)射顯微鏡在不同工作參數(shù)下和應(yīng)對不同失效模式時的應(yīng)

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