高電源抑制比和高精度基準(zhǔn)電壓源的設(shè)計(jì)與優(yōu)化.pdf

1、隨著集成電路尺寸的不斷減小和半導(dǎo)體制造工藝的迅速發(fā)展，為了保證整個(gè)系統(tǒng)的優(yōu)良性能，具有高精度和高電源抑制比的基準(zhǔn)電壓源幾乎成了所有模擬和混合電路系統(tǒng)中不可缺少的基本模塊。本文根據(jù)國(guó)內(nèi)外基準(zhǔn)源的研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)，在介紹了基準(zhǔn)源工作原理的基礎(chǔ)上，詳細(xì)分析了其溫度特性和電源抑制比頻率特性，最終設(shè)計(jì)了一款采用新的高階補(bǔ)償方法及電源抑制比提高結(jié)構(gòu)的高電源抑制比和高精度的基準(zhǔn)電壓源。
　　本文提出的新的高階溫度補(bǔ)償技術(shù)將原來(lái)只有一個(gè)極值的基

2、準(zhǔn)電壓溫度特性曲線變成了具有三個(gè)極值的溫度特性曲線，這種方法能有效的減小溫度系數(shù)。通過(guò)對(duì)電源抑制比頻率特性的分析，提出了兩種提高電源抑制比的方法：一方面可以提高運(yùn)放的增益；另一方面可以使運(yùn)放的電源抑制比等于1。結(jié)合提出的高階補(bǔ)償方法和對(duì)電源抑制比頻率特性的分析，設(shè)計(jì)了一種高電源抑制比和高精度的基準(zhǔn)電壓源。
　　對(duì)所設(shè)計(jì)的基準(zhǔn)電壓源電路在3.3V電源電壓下，采用0.35μm工藝進(jìn)行仿真，仿真結(jié)果表明在-40~135℃的溫度范圍內(nèi)，輸