版權(quán)說明:本文檔由用戶提供并上傳,收益歸屬內(nèi)容提供方,若內(nèi)容存在侵權(quán),請進行舉報或認領(lǐng)
文檔簡介
1、帶隙基準源廣泛地應(yīng)用于各種模擬以及模數(shù)混合集成電路中,如A/D、D/A轉(zhuǎn)換器、電壓調(diào)諧器以及偏置電路等,為系統(tǒng)提供與電源電壓、溫度以及工藝變化無關(guān)的基準電壓或電流。基準源性能的好壞直接影響著整個系統(tǒng)的性能,因此起著至關(guān)重要的作用。 本課題的目標是為數(shù)字電視調(diào)諧芯片提供穩(wěn)定的基準偏置,以此為依托,本文系統(tǒng)地闡述了帶隙基準電壓源與基準電流源的設(shè)計實現(xiàn)過程。帶隙基準電壓源采用一階溫度補償技術(shù)實現(xiàn),其中帶隙核心電路通過運算放大器來鉗制電
2、位,以此來獲得產(chǎn)生基準電壓所需的與絕對溫度成正比的電流。為減小運放失調(diào)電壓所帶來的誤差,溫度補償電路采用了兩級VBE疊加的結(jié)構(gòu)。此外,電路中引入了新型快速可控啟動電路,可以在很短的時間內(nèi)開啟或者關(guān)閉基準源電路,增加了電路使用的靈活性?;鶞孰娏髟吹膶崿F(xiàn)是通過將基準電壓經(jīng)電壓-電流(V-I)轉(zhuǎn)換電路來獲得。V-I轉(zhuǎn)換電路由高增益運算放大器、NMOS管、電阻及輸出級電流鏡構(gòu)成,其中電阻采用了兩種具有相反溫度系數(shù)的多晶電阻線性疊加實現(xiàn),以減少其
3、對輸出基準電流溫度系數(shù)的影響。同時在電流輸出級添加了電流鏡微調(diào)網(wǎng)絡(luò)來實現(xiàn)對輸出基準電流的微調(diào),在一定程度上彌補了因電阻的偏差而無法獲得準確預(yù)期電流的缺陷。 本文所描述的基準電流源最終應(yīng)用于數(shù)字電視調(diào)諧器專用芯片中,采用Chartered 0.25μm N阱CMOS工藝實現(xiàn)。測試結(jié)果表明,輸出基準電流在-20℃~80℃溫度范圍內(nèi)的相對變化量約為1%:低頻段的電源抑制接近90dB,高頻段電源抑制大于30dB:在電源電壓波動20%的范
溫馨提示
- 1. 本站所有資源如無特殊說明,都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
- 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等,如果需要附件,請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
- 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙,網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預(yù)覽,若沒有圖紙預(yù)覽就沒有圖紙。
- 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
- 5. 眾賞文庫僅提供信息存儲空間,僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理,對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯,并不能對任何下載內(nèi)容負責(zé)。
- 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容,請與我們聯(lián)系,我們立即糾正。
- 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。
最新文檔
- 高精度低功耗帶隙基準源電路的設(shè)計.pdf
- 低電壓低功耗高精度的CMOS帶隙基準電壓源.pdf
- 低壓低功耗高精度基準源研究.pdf
- 低壓低功耗CMOS帶隙基準電壓源設(shè)計.pdf
- 高精度低溫漂帶隙基準電壓源的設(shè)計.pdf
- 一種高精度帶隙基準電壓源的設(shè)計.pdf
- 高精度低功耗基準電路的設(shè)計及應(yīng)用.pdf
- 輸出可控低溫漂低功耗帶隙基準參考源設(shè)計.pdf
- 高精度曲率校正帶隙基準電壓源的設(shè)計.pdf
- 低壓低功耗cmos帶隙基準電壓源的設(shè)計與仿真
- 一種高精度BiCMOS帶隙電壓基準源的設(shè)計.pdf
- 納米工藝下低壓低功耗帶隙基準源的研究.pdf
- 帶過溫保護的高精度帶隙基準源的研究與設(shè)計.pdf
- 低壓二次溫度補償高精度帶隙基準源設(shè)計.pdf
- 一種0.5v高精度帶隙基準源
- 基于0.18μmcmos工藝的高精度帶隙基準源的研究與設(shè)計
- 納米工藝下低壓低功耗高精度電壓基準源的研究與設(shè)計.pdf
- 一種應(yīng)用在65納米CMOS系統(tǒng)級芯片中的低壓低功耗、高精度帶隙基準源.pdf
- 高精度CMOS帶隙電壓基準的設(shè)計與實現(xiàn).pdf
- 一種高溫高精度帶隙基準設(shè)計.pdf
評論
0/150
提交評論