In2O3納米結(jié)構(gòu)的生長與性能研究.pdf

1、本文采用化學(xué)氣相沉積的方法研制出多種能適用于場發(fā)射應(yīng)用的具有復(fù)雜新形貌的In2O3納米結(jié)構(gòu)，并研究了其生長機(jī)理，實現(xiàn)In2O3納米結(jié)構(gòu)的可控制備。豐富了現(xiàn)有的In2O3納米結(jié)構(gòu)的形貌，及其晶體生長學(xué)的研究。本文進(jìn)一步研究了In2O3納米結(jié)構(gòu)的光學(xué)、電學(xué)特性，及其在場發(fā)射平板顯示器上的應(yīng)用，探索了其形貌和場發(fā)射性能之間的關(guān)系，為場發(fā)射平板顯示領(lǐng)域和功能性納米器件提供一種新的場發(fā)射陰極材料和構(gòu)建單元。主要內(nèi)容和創(chuàng)新點如下：
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2、.采用化學(xué)氣相沉積的方法，通過適當(dāng)?shù)馗淖儗嶒灄l件，如源材料、溫度、載氣流量等，成功制備了In2O3納米棒、納米塔、納米觸須、納米箭等，并首次生長了多角分層納米塔狀結(jié)構(gòu)。
　　 2.對In2O3納米結(jié)構(gòu)生長過程中，各實驗參數(shù)對其生長及形貌的影響進(jìn)行了分析，并進(jìn)而對其生長機(jī)理進(jìn)行了詳細(xì)分析，實現(xiàn)其可控生長，突破了難以可控制備復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)的局限性。
　　 3.采用高分辨透射電鏡、掃描電鏡對制備的In2O3納米結(jié)構(gòu)進(jìn)行結(jié)構(gòu)、形貌