Pd摻雜花狀I(lǐng)n2O3微結(jié)構(gòu)的制備及其氣敏特性研究.pdf

1、太原理工大學(xué)碩士研究生學(xué)位論文IPd摻雜花狀I(lǐng)n2O3微結(jié)構(gòu)的制備及其氣敏特性研究摘要氧化銦(In2O3)是直接能帶隙為3.553.75eV的n型半導(dǎo)體材料，In2O3有兩種晶型：立方晶系方鐵錳型結(jié)構(gòu)(CIn2O3)和六方晶系剛玉型結(jié)構(gòu)(HIn2O3)。In2O3具有極高的電導(dǎo)率、存在著氧空穴等大量本征施主缺陷。所以，In2O3被廣泛應(yīng)用于光催化、傳感器、發(fā)光二極管等領(lǐng)域。近年來，人們發(fā)現(xiàn)增大半導(dǎo)體材料的比表面積和貴金屬摻雜能夠提高半導(dǎo)

2、體氣體傳感器的靈敏度，成為當(dāng)前In2O3納米材料研究的發(fā)展方向。本文采用水熱法制備了純In2O3和不同濃度Pd摻雜花狀I(lǐng)n2O3微結(jié)構(gòu)，通過貴金屬Pd摻雜來進(jìn)一步提高氣體傳感器的氣敏特性。利用SEM、TEM、XRD、EDS和XPS對材料的形貌、晶體結(jié)構(gòu)和化學(xué)組分進(jìn)行表征。利用CGS1TP智能氣敏分析系統(tǒng)，采用靜態(tài)配氣法，對傳感器的氣敏特性進(jìn)行測試。分析結(jié)論如下：1.通過水熱法制備了純In2O3和Pd摻雜花狀I(lǐng)n2O3微結(jié)構(gòu)（Pd:In的