界面構(gòu)形對(duì)分子器件電子輸運(yùn)性質(zhì)的影響.pdf

1、本論文采用密度泛函理論結(jié)合非平衡格林函數(shù)的方法，研究了由表面重構(gòu)以及吸附原子團(tuán)簇所引起的界面構(gòu)形對(duì)分子器件輸運(yùn)性質(zhì)的影響。主要內(nèi)容如下:
　　1、C60分子引起的Cu(111)面的重構(gòu)對(duì)電子輸運(yùn)性質(zhì)的影響。實(shí)驗(yàn)上發(fā)現(xiàn)，在一定的條件下，C60在Cu(111)面上生長(zhǎng)時(shí)，會(huì)使得4×4的金屬表面單胞出現(xiàn)7個(gè)原子空洞的重構(gòu)結(jié)構(gòu)。對(duì)于C60分子和Cu(111)塊體構(gòu)建的分子器件，考慮到分子-電極接觸界面的重構(gòu)，理論模擬結(jié)果發(fā)現(xiàn)電導(dǎo)增大了，小

2、偏壓范圍內(nèi)電流是完整表面結(jié)構(gòu)的1.5倍。我們的結(jié)果表明界面重構(gòu)增強(qiáng)了分子器件的導(dǎo)電性能。
　　2、吸附原子團(tuán)簇對(duì)輸運(yùn)性質(zhì)的影響。實(shí)驗(yàn)上制備分子器件時(shí)，尤其在自組裝過(guò)程中，電極表面還會(huì)出現(xiàn)吸附原子團(tuán)簇乃至島狀結(jié)構(gòu)等等。我們采用C60分子與Ni(111)塊體電極構(gòu)建兩端體系，研究了兩端電極磁矩平行時(shí)，隨著團(tuán)簇原子個(gè)數(shù)N的增多，自旋電子輸運(yùn)性質(zhì)的變化。結(jié)果表明，同一偏壓下，隨著N的增大，電流逐漸增大，其自旋極化度逐漸減小。顯然團(tuán)簇尺寸的