MgB-,2-的磁通釘扎機制.pdf

1、全文主要包括以下方面內(nèi)容：
　　 第一章緒論簡單介紹了MgB2超導(dǎo)體的研究背景，分析了目前所存在的主要問題，提出了本文的研究目標(biāo)和研究內(nèi)容。
　　 第二章回顧了超導(dǎo)電性的發(fā)展歷程及與其相關(guān)的基本內(nèi)容。第三章簡單介紹了的MgB2超導(dǎo)體的發(fā)現(xiàn)過程，晶體結(jié)構(gòu)和電子結(jié)構(gòu)，及測量相關(guān)的表征手段，著重介紹了MgB2超導(dǎo)體的磁通釘扎機制的研究現(xiàn)狀以及相關(guān)的物理性質(zhì)。
　　 第四章主要研究了碳水化合物(檸檬酸)摻雜對MgB2超導(dǎo)

2、電性的影響，重點分析了摻雜對其臨界電流密度和磁通釘扎行為的影響。從對臨界電流密度和磁通釘扎行為的分析可以看出，檸檬酸摻雜可以有效地提高MgB2在高場下的性能。另外利用傳統(tǒng)的釘扎力標(biāo)度規(guī)律對不同摻雜量樣品的約化釘扎力曲線進行了擬合，發(fā)現(xiàn)純樣和低摻雜的樣品的實驗曲線并不能很好的與晶界釘扎的理論曲線相吻合，但隨著摻雜量的增加擬合結(jié)果向著晶界釘扎靠攏。
　　 針對現(xiàn)有的釘扎力標(biāo)度規(guī)律并不能很好的與實驗結(jié)果相吻合這一現(xiàn)象，在晶界釘扎的基礎(chǔ)

3、之上，借助滲流模型分別研究了MgB2超導(dǎo)體的上臨界場各向異性隨摻雜量和溫度的變化及其對磁通釘扎機制的影響。研究發(fā)現(xiàn)滲流模型可以很好的擬合臨界電流密度在高場下的行為，這說明MgB2超導(dǎo)體的上臨界場各向異性的存在可能是其臨界電流密度在高場下迅速衰減的主要原因。此外還發(fā)現(xiàn)只要增加檸檬酸的摻雜量或溫度升高都會使得MgB2超導(dǎo)樣品上臨界場的各向異性降低，而釘扎力標(biāo)度曲線卻隨著檸檬酸摻雜量的增加和溫度的升高向晶界釘扎移動，因此上臨界場各向異性的減小

4、可能是產(chǎn)生這一移動的原因。
　　 第五章主要研究了Al摻雜對MgB2超導(dǎo)體臨界電流密度和磁通釘扎行為的影響，研究發(fā)現(xiàn)Al摻雜對MgB2超導(dǎo)體的轉(zhuǎn)變溫度，臨界電流密度和上臨界場有很強的抑制作用。從磁通釘扎行為來看，Al摻雜同檸檬酸摻雜類似，其約化釘扎力曲線會隨著摻雜量的增加向晶界釘扎移動，這也可能是由于摻雜引起的上臨界場各向異性減小的結(jié)果。
　　 第六章主要通過對多晶MgB2塊材樣品p-T曲線展寬的研究，分析了其磁通蠕動行