雙能帶結(jié)構(gòu)對(duì)MgB-,2-磁通釘扎的影響.pdf

1、自二硼化鎂(MgB<,2>)超導(dǎo)電性發(fā)現(xiàn)以來(lái)，其超導(dǎo)機(jī)理和性質(zhì)一直是人們研究和關(guān)心的問(wèn)題，也進(jìn)行了大量實(shí)驗(yàn)和理論的探索。但有關(guān)MgB：超導(dǎo)體，尤其是薄膜樣品釘扎力、臨界電流等方面的眾多問(wèn)題，由于其自身的雙能帶(two-band/gap)結(jié)構(gòu)的原因，至今還沒(méi)有確切的答案。本論文采用London磁通線(xiàn)模型和Ginzburg-Landau理論模型，分別計(jì)算二硼化鎂的元釘扎力，用求和理論得出單能帶和雙能帶下二硼化鎂磁通釘扎力的表達(dá)形式。將通過(guò)理

2、論得出的單能帶和雙能帶釘扎力曲線(xiàn)跟通過(guò)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)得到的釘扎力曲線(xiàn)進(jìn)行比較，得到雙能帶結(jié)構(gòu)對(duì)MgB2磁通釘扎的影響。具體內(nèi)容如下： 1、通過(guò)研究MgB2雙能帶結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)，得到了兩個(gè)能帶(π band和σ band)各自的臨界溫度、上臨界磁場(chǎng)等參量；同時(shí)對(duì)上臨界磁場(chǎng)各向異性進(jìn)行了討論，得到兩個(gè)能帶的貢獻(xiàn)比隨溫度和磁場(chǎng)的變化情況。 2、根據(jù)London模型和GL模型的適用條件，在低場(chǎng)區(qū)和高場(chǎng)區(qū)分別采用London模型和GL模型計(jì)

3、算元釘扎力。對(duì)元釘扎力直接求和得到MgB<,2>的磁通釘扎力，以σ band的釘扎力做為MgB<,2>單能帶情況下的釘扎力，以π band和σ band的釘扎力按貢獻(xiàn)比相加所得的值做為MgB<,2>雙能帶情況下的釘扎力。得到MgB<,2>單能帶和雙能帶情況下的磁通釘扎力的理論表達(dá)式。 3、由雙能帶結(jié)構(gòu)的特點(diǎn)和計(jì)算模型可知，能帶在釘扎力的計(jì)算當(dāng)中體現(xiàn)為上臨界場(chǎng)和貢獻(xiàn)比的影響。由計(jì)算模型，畫(huà)出不同情況下(臨界場(chǎng)和貢獻(xiàn)比的不同取值)單