復合多晶硅柵LDDMOSFET的靜態(tài)特性及截止頻率研究.pdf

1、近十年來，射頻電路的研究得到了巨大的發(fā)展，在無線通信、醫(yī)療、遙感、全球定位和射頻識別等領域得到廣泛應用，電路的工作頻率也迅速提升，對半導體器件頻率特性的要求愈來愈高。近年不斷有報道指出，SiGe、SiC等半導體材料或者SOI等新結(jié)構制作成的MOSFET能達到上百G的頻率，在高頻、高溫、大功率領域顯示出一定的優(yōu)勢，但是這些技術必須建立在先進、復雜工藝制造的基礎上，限制了它們的普遍應用。
　　 目前，硅基CMOS工藝技術仍是微電子的

2、主流。本文介紹的復合多晶硅柵（Double Doping Polysilicon Gate， DDPG）LDD MOSFET采用純硅基材料，通過對柵的設計，得到性能優(yōu)異的新結(jié)構射頻MOSFET。所設計的柵有S-gate和D-gate兩塊并列組成，S-gate用高功函數(shù)p多晶硅，D-gate用低功函數(shù)n多晶硅?？吭炊说拈撝惦妷荷愿哂诼┒说拈撝惦妷?，表面電勢的階梯式分布屏蔽了漏端電勢的影響，電場沿溝道有一個峰值，載流子呈現(xiàn)更大的平均漂移速度

3、，其結(jié)果提高了驅(qū)動電流、跨導和截止頻率。
　　 論文首先對半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展進行了介紹，分析了器件特征尺寸的減小帶來的挑戰(zhàn)和器件結(jié)構的改進等等，其次介紹了復合多晶硅柵LDD MOSFET的結(jié)構設計，接著采用等效電路模型對小信號特性進行了詳細的分析，并給出了電場、電勢、閾值電壓和截止頻率的解析表達式，最后，運用MEDICI模擬軟件分析了柵長、柵氧化層厚度、源漏區(qū)結(jié)深、柵極摻雜濃度、襯底摻雜濃度、溫度等關鍵參數(shù)的影響，并與相同條件下p