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1、將傳統(tǒng)磁控濺射設(shè)備陰極內(nèi)的磁場(chǎng)屏蔽,而在基片下放置一塊永磁鐵,即在濺射空間加一縱向磁場(chǎng);利用該縱向磁場(chǎng)進(jìn)行濺射。利用這種配置,我們可以研究縱向磁場(chǎng)對(duì)濺射粒子的運(yùn)動(dòng)影響。我們發(fā)現(xiàn),在這種實(shí)驗(yàn)裝置下,所沉積的薄膜的表面宏觀形貌呈現(xiàn)規(guī)則的幾何圖形特征:膜的中央有一圓斑,而在圓斑的外圍有規(guī)則分布的環(huán)。但這一中央圓斑的膜厚隨著靶材元素和基片在磁鐵上方的高度而變化。對(duì)這一實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象的產(chǎn)生機(jī)理,我們發(fā)現(xiàn)從量子力學(xué)角度、宏觀量子效應(yīng)角度,以及直接考慮由于
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