KTN薄膜制備與PLD機(jī)理研究.pdf

1、本文將PLD技術(shù)與其它工藝結(jié)合起來，制備出高質(zhì)量的KTN薄膜材料。重點(diǎn)研究了PLD機(jī)理。在實(shí)驗(yàn)工作中，采用溶膠－凝膠法與氣氛燒結(jié)工藝相結(jié)合的工藝，制備出了高質(zhì)量的KTN陶瓷靶材，并采用PLD技術(shù)成功地在單晶Si(100)襯底上沉積出了大面積、高取向、厚度較均勻、保組分性好的透明KTN薄膜，探索出制備該薄膜的優(yōu)化工藝參數(shù)。在機(jī)理的研究方面，參照國內(nèi)外PLD薄膜制備的實(shí)驗(yàn)文獻(xiàn)和有關(guān)PLD局部過程理論研究工作，對PLD技術(shù)的各個(gè)階段的物理

2、現(xiàn)象，其中包括脈沖激光燒蝕塊靶產(chǎn)生的雙動(dòng)態(tài)界面 、等離子體的發(fā)射和膨脹 、等離子體沉積成膜諸階段的演化，進(jìn)行了比較深入細(xì)致地研究。在對燒蝕過程的研究中，本文建立了有限厚度靶材的激光燒蝕模型，給出了較為切合實(shí)際的邊界條件和初始條件。在此基礎(chǔ)上，首次給出了燒蝕面的推進(jìn)方程，并且較為嚴(yán)格地推導(dǎo)出了燒蝕過程中固液界面的變化規(guī)律，同時(shí)進(jìn)行了數(shù)值模擬計(jì)算。這部分工作為爾后研究高能激光與靶材物質(zhì)相互作用奠定了一定的基礎(chǔ)。對PLD制備薄膜過程中產(chǎn)生