半導體納-微米材料的合成及性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、納米材料由于其獨特的物理化學性質，以及潛在的應用價值成為了當今基礎研究與應用的熱點之一。而半導體納米材料因其所具有的優(yōu)異性能在發(fā)光器件、非線性材料、光敏感材料、光催化材料等方面表現(xiàn)了出了廣闊的應用前景，未來的趨勢，半導體的制造技術將進入一個納米時代。本文綜述了納米材料及半導體納米材料的研究進展，采用液相化學方法合成了ZnS、InVO<,4>、BiVO<,4>三種半導體納米材料，實現(xiàn)了在合成過程中對尺寸和形貌的調控，主要研究了它們的光催化

2、性質和光致發(fā)光性質。 1.運用溶劑熱條件輔助四元微乳體系(CTAB/水/環(huán)己烷/正戊醇)成功地合成出尺寸均勻、單分散性好的ZnS納米球。探討了該反應的最佳反應條件及實驗參數(shù)對產(chǎn)物形貌和尺寸的影響。提出了表面活性劑(CTAB)輔助下ZnS納米晶自組裝形成ZnS納米球的反應機理。在紫外光照射下，考察了ZnS納米球降解對硝基苯酚的光催化活性。 2.在表面活性劑SDBS輔助下，水熱合成了具有大孔結構的InVO<,4>微米球。根據(jù)

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