超高真空CVD低溫生長碳化硅與鍺硅薄膜研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

1、該文首先綜述了硅基鍺硅與碳化硅半導(dǎo)體材料的特性、應(yīng)用和生長技術(shù).該文的主要工作如下:研究人員在國內(nèi)第一次使用UHV/CVD技術(shù)在850℃的低溫下生長出了碳化硅薄膜,對(duì)薄膜的組分及結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究.第一次在680~700℃的低溫下使用UHV/CVD技術(shù)成功地外延生長了鍺硅薄膜,雙昌衍射說明薄膜結(jié)晶質(zhì)量良好,從而使高頻的SiGe/Si-HBT器件的研制成為可能,同時(shí)并研究了在該溫度范圍內(nèi)鍺硅薄膜的生長特性.對(duì)在780℃的較高溫度下生長的鍺硅薄

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