利用UHV-CVD在SiO-,2-薄膜上生長(zhǎng)多晶鍺硅薄膜的研究.pdf_第1頁(yè)
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文檔簡(jiǎn)介

1、本文利用一種先進(jìn)的薄膜制備技術(shù)超高真空化學(xué)氣相沉積(UHVCVD)對(duì)在SiO2非晶襯底上生長(zhǎng)Si1-xGex多晶薄膜的一系列研究。文章研究了不同的生長(zhǎng)氣氛對(duì)超高真空化學(xué)氣相沉積選擇性生長(zhǎng)鍺硅薄膜的影響，采用SEM，XRD研究了不同生長(zhǎng)條件下的薄膜的成核情況，指出當(dāng)溫度高于550℃時(shí)，氣氛中鍺含量對(duì)超高真空選擇性生長(zhǎng)鍺硅有明顯的影響，低于550℃時(shí)，氫氣以及鍺烷相互作用對(duì)鍺硅選擇性生長(zhǎng)產(chǎn)生影響。通過(guò)對(duì)比不同的生長(zhǎng)條件，并結(jié)合鍺硅材料的生長(zhǎng)

2、特性，指出最佳的選擇性生長(zhǎng)條件為：溫度為550℃，生長(zhǎng)氣氛中SiH4、GeH4和H2的流量比為5：0.5：4.5，在此條件下，不僅能夠獲得高質(zhì)量的Si1-xGex薄膜，而且多晶鍺硅在二氧化硅表面成核的潛伏時(shí)間可達(dá)到40min以上，完全可以滿(mǎn)足器件制備的需要。研究了利用Al和Ni兩種金屬作為誘導(dǎo)層，利用UHVCVD分別在高、低壓下生長(zhǎng)多晶鍺硅，發(fā)現(xiàn)在生長(zhǎng)壓強(qiáng)較高時(shí)兩者均具有誘導(dǎo)生長(zhǎng)多晶鍺鍺硅的作用，但是薄膜的表面形貌相差巨大，Ni更適合

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