基于磁控濺射法制備CuIn(Se1-xSx)2薄膜.pdf

1、隨著傳統(tǒng)化石能源的日益消耗，能源危機(jī)和環(huán)境惡化問(wèn)題將愈發(fā)嚴(yán)重，可再生新能源的研究和開發(fā)成為全世界各國(guó)關(guān)注的熱點(diǎn)。與此同時(shí)，隨著技術(shù)的進(jìn)步，銅銦硒硫(CISS)薄膜太陽(yáng)能電池以其高轉(zhuǎn)換效率、高輻射穩(wěn)定性和相對(duì)的低成本，成為取代傳統(tǒng)化石能源的首選。但是，CISS薄膜太陽(yáng)能電池要實(shí)現(xiàn)大規(guī)模產(chǎn)業(yè)化，還急需解決一系列關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題。本論文主要就磁控濺射后固態(tài)源硒化法制備銅銦硒薄膜太陽(yáng)能電池中的硒化工藝，以及低溫部分硒化后的硫化工藝，進(jìn)行了一些探

2、索。本論文著重從以下三個(gè)方面來(lái)分析研究。
　　 首先，研究了Cu-In金屬預(yù)制層對(duì)硒化的影響。調(diào)節(jié)靶材濺射功率制備Cu-In金屬預(yù)制層。通過(guò)XRD和SEM測(cè)試和分析，探討了Cu-In金屬預(yù)制層的可能成相機(jī)理，以及對(duì)Cu-In金屬預(yù)制層的形貌和元素成分的影響。最后，總結(jié)出了有利于硒化的Cu-In金屬預(yù)制層的最佳濺射參數(shù)。
　　 其次，為了制備出單一均相的銅銦硒硫(CISS)薄膜，本論文全面研究了硒化溫度對(duì)薄膜形貌和成分的影