半導體發(fā)光器件的負電容與高速調(diào)制.pdf

1、該文對半導體發(fā)光二極管的負電容和激光二極管的高速調(diào)制進行了較為深入細致的研究,其中的主要工作和取得的一些成果可以概括如下:(1)、通過實驗證明采用我們發(fā)展的正向交流小信號法來檢測二極管的正向交流電特性是一種準確的方法,由此得到的正向電容譜的靈敏度極高,可以在分析器件結(jié)構(gòu)和內(nèi)在物理機制等方面提供很大幫助,是對現(xiàn)有的高度成熟的反向電容譜技術(shù)一個很好的補充.(2)、采用基于并聯(lián)和串聯(lián)模式的交流小信號法對半導體發(fā)光二極管的正向交流電特性進行了檢

2、測,測試結(jié)果表明半導體發(fā)光二極管中普遍存在著負電容.進一步的發(fā)光特性實驗表明,半導體發(fā)光二極管中的負電容與強復合發(fā)光過程有著緊密的關(guān)聯(lián).(3)、依據(jù)正向交流小信號實驗和發(fā)光特性實驗,我們對發(fā)光二極管的負電容進行了物理機制上的定性解釋,并首次嘗試了從微觀輸運機制上去定量解釋.(4)、詳細研究了半導體激光器的本征和寄生頻率調(diào)制響應特性,并對影響半導體激光器的本征和寄生頻率調(diào)制響應的主要因素作了系統(tǒng)的探討.(5)、首次提出了一個全新的利用負電

3、容來補償半導體激光器芯片寄生電容的設想,并對此設想在技術(shù)上的可行性進行了探討.(6)、提出了一個新的研究方向,即當整個器件的總電容為負值的時候,半導體激光器在交流小信號測試下的頻率調(diào)制響應特性會出現(xiàn)什么樣的現(xiàn)象.這是一個目前不為人們所知的在研究方面的空白.總之,由于半導體發(fā)光二極管的負電容可能會對器件的頻率特性、開關(guān)特性以及其它一些特性產(chǎn)生影響,因此,在定量的層次上去正確認識發(fā)光二極管的負電容,不論在理論上還是在實際應用中都具有重要的意