半導(dǎo)體物理與器件復(fù)習(xí)

1、1.粒子能量??hchE??2.德布羅意波長(zhǎng)ph??3.能量與動(dòng)量的關(guān)系2mEP?2mPE2?4.波數(shù)，相速度??2k?T???5.邊界條件1)(2????dxx?6.無(wú)限深勢(shì)阱中電子的能量（n為電子的能級(jí)，a為勢(shì)阱的寬度）2223n2manhEE???7.內(nèi)力的作用amF??8.電子的有效質(zhì)量（價(jià)帶頂(空穴)m0）222m1kdEdh1?9.狀態(tài)密度函數(shù)EhmE323)2(4)(g??10.導(dǎo)帶中的電子有效狀態(tài)密度cncEEhmEg?

2、?323)2(4)(?11.價(jià)帶中的電子有效狀態(tài)密度EEhv??323pv）2m（4）E（g?12.概率密度函數(shù)（EF為費(fèi)米能級(jí)））kTEE（exp11）E（)()(NFF???fEgE13.T=300K，kT=0.0259eV0.0259VekT?本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體14.熱平衡時(shí)電子濃度為??dE）E（f）E（gnFc0或（Nc為導(dǎo)帶有效狀態(tài)密度，]kT)(exp[n0FccEEN???載流子運(yùn)輸載流子運(yùn)輸（漂移運(yùn)動(dòng)和擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)）24

3、.電導(dǎo)率???1??Ne25.電子漂移電流密度（u為遷移率）nEendrf??nJ26.空穴漂移電流密度pEepdrf??pJ27.電子擴(kuò)散電流密度（D為擴(kuò)散系數(shù)）dxdneDn?ndifJ28.空穴擴(kuò)散電流密度dxdpeDp??pdifJ29.總電流密度dxdpeDpEedxdneDnEeJppnn??????霍爾效應(yīng)霍爾效應(yīng)30.霍爾電壓VH為正，P型半導(dǎo)體；霍爾電壓為負(fù)，N型半導(dǎo)體。31.載流子濃度與霍爾電壓成反比，金屬的霍爾效應(yīng)

4、不明顯空穴濃度HedVIB?p32.濃度為正電子濃度HedVIB??n33.載流子濃度和電場(chǎng)強(qiáng)度與遷移率成反比空穴遷移率WdepVILxp??34.電子遷移率WdenVILxn??非平衡過(guò)剩載流子非平衡過(guò)剩載流子35.穩(wěn)態(tài)時(shí)（）過(guò)剩電子濃度??t0nng???36.小注入P型半導(dǎo)體的雙極運(yùn)輸方程tnngxnEnon??????????)()(x）n（D22n??????37.小注入N型半導(dǎo)體的雙極運(yùn)輸方程tppgxpExppp?????