低維ZnO納米結構的可控合成及其性能研究.pdf_第1頁
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文檔簡介

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2、revealedt【1at血eE2(high)modeof也eZnCd0nallorodswjthCdcontemof16，7at％shmedtowardmehigherfrequencysideby5cmwim陀specttotllatofpurebulkZnO，correspondingtobiaxialcompressivestressof114GPaThenear—band—edge(NBE)emissionofZnCdOred

3、—shiftedto304cVduetoCdsubstitutionThedefectrclated鋤issionexhibitedanomalousph。nonr印licaswiIha11energyof102mev，wllichprovidesavaluablewayincurremeffortteaiizetheZnObasedoptoeIectmnicnanodevices4Temperatured印endentPLspectr

4、aof血eZnCdOn姐orodswimCdcontentof167at％showthateachspectrumdiSplaysanintensenearband_edge(NBE)emissionaround31eVasweUaSaweakdefect—relatedbandaround25eVAtlowtemperatures，theNBEballdconsis乜oftllreepeal【sat323，316，and3，06eVF

5、romtime—integratedandtimeres01vedPLa11alyses，wesuggeStthatthepeakat306eVisassociatedwithca玎ie巧IocaliZedatpotentialminimainducedbyCdspatiaIinhomogeneousdistributioninZnCdOalloys，Thepeakat3I6eVisat打ibutedtotheexcitonicemis

6、sionofZnCdO、vhilethepeakat323eVisascribedtoboundexcitonsinZnO5TemaryZnCdOsinglecrystalbramble一1ikenanostructIlreswithaCdincorporationofabout67at％weresynthesizedonAunanoparticle—depositedSisubs打atebyVaporizingthemixtureof

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