尺寸與形貌可控的低維銀納米結構的制備.pdf

1、銀納米結構的研究目前非常活躍，但文獻合成的一維銀納米結構尺寸大多比較單一、范圍窄，直徑約在100 nm或者60 nm左右，主要為五邊形或不規(guī)則截面的多晶和孿晶結構；合成的銀納米片的大小（橫向尺寸，邊長）大多在100 nm左右，寬厚比（邊長和厚度之比）≤6。這種尺寸和形貌的單一性不利于調控銀納米結構的性能和大規(guī)模應用，因而尋找新的合成方法制備尺寸和形貌可調的銀納米結構具有十分重要學術意義和廣泛的應用前景。本文通過溶劑（水）熱法合成了截面為

2、矩形的銀納米線、單晶同軸納米電纜線，毫米長度的超長銀納米線以及邊長為微米級的銀納米片；表征和分析了合成產(chǎn)物的成分、形貌、結構和部分性能。同時，提出了上述銀納米結構的生成機理。 采用溶劑熱法，以乙二醇為還原劑，聚乙烯吡咯烷酮（PVP）為晶體生長控制劑，F(xiàn)e3+為品種刻蝕劑，能大量合成出不同截面形狀的銀納米線。隨著[Fe3+]的增加，產(chǎn)物銀納米線的截面由正五邊形演變?yōu)榫匦危睆揭灿?0 nm增加到300nm。這說明通過控制[Fe3+

3、]能有效地使銀晶種從孿晶轉變?yōu)閱尉?，從而在動力學上實現(xiàn)了銀納米線尺寸和形貌的可控。 采用水熱法，以PVP為還原劑、氯化銀為前驅物，大量制備了高純度的、且能自組裝成有序陣列的截面為圓柱形的金屬銀/高分子納米同軸電纜線?？疾炝藴囟?、時間、濃度、溶劑和還原劑等因素對合成的Ag納米結構的影響。結果顯示控制還原能力和溶劑種類能調控銀晶種、納米線的截面結構和尺寸，可控制備出單晶銀納米線，銀納米線表面吸附的PVP是有序金屬銀/高分子納米同軸電

4、纜線形成有序陣列的關鍵。 用低溫（60℃）溶劑熱法，以二甲基甲酰胺為主還原劑和溶劑，以聚乙烯吡咯烷酮（PVP）為生長控制劑，硝酸銀為前軀體，大量制備了高純度的、邊長為微米級、寬厚比≥10的面心立方單晶銀納米片。考察了不同溶劑對銀納米結構的影響，并提出了大尺寸的銀納米片的形成機理．本文為調控單晶銀納米片的邊長和寬厚比提供了一種新的可靠的動力學方法，制備的長邊長、大寬厚比的單晶銀納米片在聚合物基導電復合材料和電磁屏蔽材料方面有潛在的